Технічний опис IRLML6302PBF Infineon Technologies
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.54W; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: HEXFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -0.62A, Power dissipation: 0.54W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 0.6Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 2.4nC, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: logic level, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IRLML6302PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLML6302PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.62A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IRLML6302PBF | Виробник : Infineon / IR | MOSFETs |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRLML6302PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.62A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |