IRLML6302TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 75888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 4.87 грн |
| 2573+ | 4.73 грн |
| 2623+ | 4.64 грн |
| 2651+ | 4.43 грн |
| 6000+ | 4.02 грн |
| 12000+ | 3.80 грн |
| 24000+ | 3.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML6302TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRLML6302TRPBF за ціною від 6.02 грн до 39.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLML6302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML6302TRPBF |
MOSFET 20V 0.78A (4.9A pulse), P Channel SOT-23-3 |
на замовлення 4066 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
IRLML6302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML6302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML6302TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.78A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.78A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML6302TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.78A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.78A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 67 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML6302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V |
на замовлення 39500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ з керуванням логічного рівня; Udss, В = 20; Id = 780 мА; Ptot, Вт = 0,54; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 97 @ 15; Qg, нКл = 3,6 @ 4,45; Rds = 600 мОм @ 610 мА, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; SOT-23 |
на замовлення 172 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | IRLML6302TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal |
на замовлення 95 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
IRLML6302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRLML6302TRPBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLML6302TRPBF - IRLML6302 20V SINGLE N-CHANNEL LEAD FRE tariffCode: 85423990 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRLML6302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRLML6302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl |
товару немає в наявності |