Технічний опис IRLML6302TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRLML6302TRPBF за ціною від 5.41 грн до 8.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML6302TRPBF | Виробник : KLS |
 MOSFET P-CH 20V 780mA SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 556 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML6302TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ з керуванням логічного рівня, Udss, В = 20, Id = 780 мА, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 97 @ 15, Qg, нКл = 3,6 @ 4,45, Rds = 600 мОм @ 610 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА,... Група товару: кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML6302TRPBF |
MOSFET 20V 0.78A (4.9A pulse), P Channel SOT-23-3 |
на замовлення 3490 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||
| IRLML6302TRPBF | Виробник : UMW |
MOSFET P-CH 20V 780mA SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 1531 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML6302TRPBF | IRLML6302TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal |
на замовлення 95 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
|||||||
 |
IRLML6302TRPBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLML6302TRPBF - IRLML6302 20V SINGLE N-CHANNEL LEAD FRE tariffCode: 85423990 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||
| IRLML6302TRPBF | Виробник : TAIWAN |
MOSFET P-CH 20V 780mA SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||
 |
IRLML6302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IRLML6302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRLML6302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl |
товару немає в наявності |