Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLML6302TRPBF
IRLML6302TRPBF

IRLML6302TRPBF Infineon Technologies

infineonirlml6302datasheetv0101en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
477+25.99 грн
512+24.18 грн
1000+16.50 грн
2000+15.60 грн
6000+14.00 грн
12000+13.23 грн
24000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 477
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLML6302TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRLML6302TRPBF за ціною від 7.41 грн до 7.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLML6302TRPBF irlml6302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356688c702627 MOSFET 20V 0.78A (4.9A pulse), P Channel SOT-23-3
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irlml6302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356688c702627 MOSFET P-CH 20V 780mA SOT-23
на замовлення 39 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irlml6302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356688c702627 P-канальний ПТ з керуванням логічного рівня; Udss, В = 20; Id = 780 мА; Ptot, Вт = 0,54; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 97 @ 15; Qg, нКл = 3,6 @ 4,45; Rds = 600 мОм @ 610 мА, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; SOT-23
на замовлення 172 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TRPBF  IRLML6302TRPBF  Транзисторы MOS FET Small Signal
на замовлення 95 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TRPBF Виробник : UMW irlml6302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356688c702627 MOSFET P-CH 20V 780mA SOT-23
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF Виробник : Infineon Technologies 2295irlml6302pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS09610-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLML6302TRPBF - IRLML6302 20V SINGLE N-CHANNEL LEAD FRE
tariffCode: 85423990
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF Виробник : Infineon Technologies 2295irlml6302pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml6302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356688c702627 Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml6302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356688c702627 Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRLML6302-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.