Інші пропозиції IRLML6344TRPBF за ціною від 2.50 грн до 49.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLML6344TRPBF Код товару: 42697
9
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: SOT-23 Uds,V: 30 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 650/6,8 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 7554 шт
7304 шт - склад
210 шт - РАДІОМАГ-Київ 39 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків |
|
||||||||||||||
 |
IRLML6344TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 723000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLML6344TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLML6344TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 119831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLML6344TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLML6344TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
на замовлення 36411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLML6344TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLML6344TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 24370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 A, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 4,5 В, Rds = 29 мОм @ 5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. ви кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | Виробник : Infineon |
Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRLML6344TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | Виробник : TECH PUBLIC |
Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | Виробник : TYS |
Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
IRLML6344TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRLML6344TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |