Інші пропозиції IRLML6344TRPBF за ціною від 2.50 грн до 47.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML6344TRPBF Код товару: 42697
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 5 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 650/6,8 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 4753 шт
очікується: 500 шт
|
|
||||||||||||||||||
|
IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML6344TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm |
на замовлення 10751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 119831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML6344TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Gate charge: 6.8nC On-state resistance: 37mΩ Power dissipation: 1.3W Drain current: 5A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V |
на замовлення 6434 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
на замовлення 5195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLML6344TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm |
на замовлення 10751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 A, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 4,5 В, Rds = 29 мОм @ 5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2084 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | Infineon |
Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори |
на замовлення 40 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRLML6344TRPBF Код товару: 42697
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 4753 шт
- 4652 шт - склад
- 100 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 500 шт
- 500 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.50 грн |
| 100+ | 2.90 грн |
| 1000+ | 2.50 грн |
| IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.02 грн |
| IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 584+ | 24.24 грн |
| 606+ | 23.37 грн |
| 1000+ | 22.60 грн |
| 2500+ | 21.15 грн |
| 5000+ | 19.06 грн |
| IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 10751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 25.04 грн |
| 250+ | 18.29 грн |
| 1000+ | 11.32 грн |
| 3000+ | 7.80 грн |
| IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 119831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 517+ | 27.36 грн |
| 817+ | 17.33 грн |
| 1085+ | 13.04 грн |
| 1221+ | 11.17 грн |
| 3000+ | 6.58 грн |
| IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 37mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 37mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 6434 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 33.42 грн |
| 20+ | 21.05 грн |
| 50+ | 14.93 грн |
| 100+ | 12.92 грн |
| 200+ | 11.24 грн |
| 500+ | 9.39 грн |
| 1000+ | 8.22 грн |
| 3000+ | 6.79 грн |
| 6000+ | 6.04 грн |
| IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.76 грн |
| 13+ | 24.23 грн |
| 100+ | 15.35 грн |
| 500+ | 10.80 грн |
| 1000+ | 9.64 грн |
| IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 10751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 47.14 грн |
| 50+ | 25.04 грн |
| 250+ | 18.29 грн |
| 1000+ | 11.32 грн |
| 3000+ | 7.80 грн |
| IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 A, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 4,5 В, Rds = 29 мОм @ 5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 A, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 4,5 В, Rds = 29 мОм @ 5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.87 грн |
| IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори
Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 14.29 грн |







