IRLML6344TRPBF


irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
Код товару: 208132
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLML6344TRPBF за ціною від 2.50 грн до 47.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF
Код товару: 42697
10 Додати до обраних Обраний товар
IR irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 4753 шт
  • 4652 шт - склад
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 500 шт
  • 500 шт - очікується
5+4.00 грн
10+3.50 грн
100+2.90 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
584+24.24 грн
606+23.37 грн
1000+22.60 грн
2500+21.15 грн
5000+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 10751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.04 грн
250+18.29 грн
1000+11.32 грн
3000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 119831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+27.36 грн
817+17.33 грн
1085+13.04 грн
1221+11.17 грн
3000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 517 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6344pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 37mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 6434 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.42 грн
20+21.05 грн
50+14.93 грн
100+12.92 грн
200+11.24 грн
500+9.39 грн
1000+8.22 грн
3000+6.79 грн
6000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+24.23 грн
100+15.35 грн
500+10.80 грн
1000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 10751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.14 грн
50+25.04 грн
250+18.29 грн
1000+11.32 грн
3000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF International Rectifier/Infineon irlml6344pbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 A, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 4,5 В, Rds = 29 мОм @ 5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 2084 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF Infineon irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
22+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF
Код товару: 42697
10 Додати до обраних Обраний товар
irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 4753 шт
  • 4652 шт - склад
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 500 шт
  • 500 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.50 грн
100+2.90 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
584+24.24 грн
606+23.37 грн
1000+22.60 грн
2500+21.15 грн
5000+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF INFN-S-A0012905767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 10751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+25.04 грн
250+18.29 грн
1000+11.32 грн
3000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 119831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
517+27.36 грн
817+17.33 грн
1085+13.04 грн
1221+11.17 грн
3000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 517 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 37mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 6434 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.42 грн
20+21.05 грн
50+14.93 грн
100+12.92 грн
200+11.24 грн
500+9.39 грн
1000+8.22 грн
3000+6.79 грн
6000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.76 грн
13+24.23 грн
100+15.35 грн
500+10.80 грн
1000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF INFN-S-A0012905767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 10751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+47.14 грн
50+25.04 грн
250+18.29 грн
1000+11.32 грн
3000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 A, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 4,5 В, Rds = 29 мОм @ 5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 2084 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
Виробник: Infineon
Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.