IRLML6344TRPBF
Код товару: 42697
12
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,029 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 5013 шт
- 4427 шт - склад
- 485 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 100 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 4 шт
- 4 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.50 грн |
| 100+ | 2.90 грн |
| 1000+ | 2.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLML6344TRPBF за ціною від 6.48 грн до 33.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 112730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 112730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLML6344TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 382 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLML6344TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm |
на замовлення 16485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRLML6344TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm |
на замовлення 16485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRLML6344TRPBF | Infineon |
Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори |
на замовлення 40 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 584+ | 24.19 грн |
| 606+ | 23.31 грн |
| 1000+ | 22.55 грн |
| 2500+ | 21.10 грн |
| 5000+ | 19.02 грн |
| IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 112730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 533+ | 26.51 грн |
| 846+ | 16.70 грн |
| 1139+ | 12.40 грн |
| 1294+ | 10.52 грн |
| 3000+ | 6.48 грн |
| IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 112730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 26.57 грн |
| 100+ | 16.74 грн |
| 500+ | 12.43 грн |
| 1000+ | 10.55 грн |
| 3000+ | 6.48 грн |
| IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 382 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 33.34 грн |
| 20+ | 21.00 грн |
| 50+ | 14.89 грн |
| 100+ | 12.89 грн |
| 200+ | 11.21 грн |
| IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 16485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 16485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори
Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 14.15 грн |
З цим товаром купують
| IRLML6402TRPBF Код товару: 27968
8
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 3,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 633/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 3,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 633/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
у наявності: 7180 шт
- 5589 шт - склад
- 47 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 321 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 878 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 345 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 9.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.20 грн |
| 1000+ | 6.50 грн |
| IRLML9301TRPBF Код товару: 34218
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 388/4,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 388/4,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 694 шт
- 544 шт - склад
- 100 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 50 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 3000 шт
- 3000 шт - очікується 13.08.2026
на замовлення: 11 шт
- 11 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.30 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| 1000+ | 4.30 грн |
| IRLML6401TRPBF Код товару: 34344
9
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: -12 В
Струм стоку Id, А: -4,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 830/10
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: -12 В
Струм стоку Id, А: -4,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 830/10
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 13300 шт
- 13000 шт - склад
- 200 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 26 шт
- 26 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Код товару: 82544
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 252091 шт
- 222940 шт - склад
- 13751 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9400 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 200 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 5800 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 4,7uF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B475KBHNNNE – Samsung) Код товару: 67047
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 4,7 мкФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 4,7 мкФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 3381 шт
- 3299 шт - склад
- 82 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.10 грн |
| 100+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 2.40 грн |







