IRLMS1503TRPBF

IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies


infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A T/R
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLMS1503TRPBF за ціною від 7.02 грн до 40.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlms1503pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668f6282644 Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.28 грн
6000+7.90 грн
9000+7.79 грн
15000+7.04 грн
21000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1997+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 1997
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002428625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.15 грн
500+14.41 грн
1000+11.88 грн
5000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A T/R
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+27.86 грн
24+26.03 грн
26+23.69 грн
100+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002428625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.13 грн
33+25.42 грн
100+19.15 грн
500+14.41 грн
1000+11.88 грн
5000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlms1503pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668f6282644 Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
на замовлення 25740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.81 грн
13+24.98 грн
100+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLMS1503_DataSheet_v01_01_EN-3363561.pdf MOSFETs MOSFT 30V 3.2A 100mOhm 6.4nC LogLvl
на замовлення 10317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.00 грн
13+27.24 грн
100+11.11 грн
1000+10.89 грн
3000+9.27 грн
9000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
302+40.43 грн
462+26.44 грн
1000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 302
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A T/R
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irlms1503pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668f6282644 Micro6 (SOT-23-6L)
на замовлення 899 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlms1503pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlms1503pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.