Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLMS1503TRPBF
IRLMS1503TRPBF

IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRLMS1503TRPBF за ціною від 6.34 грн до 42.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlms1503pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlms1503pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668f6282644 Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.74 грн
6000+ 11.65 грн
9000+ 10.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
737+16.26 грн
783+ 15.29 грн
912+ 13.12 грн
921+ 12.53 грн
1019+ 10.49 грн
Мінімальне замовлення: 737
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
690+17.35 грн
694+ 17.25 грн
702+ 17.06 грн
1000+ 16.06 грн
2000+ 14.78 грн
Мінімальне замовлення: 690
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+17.65 грн
39+ 15.25 грн
40+ 15.1 грн
100+ 13.69 грн
250+ 10.88 грн
500+ 10.34 грн
1000+ 9.35 грн
Мінімальне замовлення: 34
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002428625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+21.29 грн
500+ 16.61 грн
1000+ 9.89 грн
5000+ 9.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLMS1503_DataSheet_v01_01_EN-3363561.pdf MOSFET MOSFT 30V 3.2A 100mOhm 6.4nC LogLvl
на замовлення 12486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.97 грн
14+ 23.73 грн
100+ 16.43 грн
500+ 13.87 грн
1000+ 12.35 грн
3000+ 10.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlms1503pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668f6282644 Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
на замовлення 25165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.07 грн
10+ 31.13 грн
100+ 21.63 грн
500+ 15.85 грн
1000+ 12.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002428625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+42.27 грн
24+ 32.75 грн
100+ 21.29 грн
500+ 16.61 грн
1000+ 9.89 грн
5000+ 9.82 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRLMS1503TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irlms1503pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668f6282644 Micro6 (SOT-23-6L)
на замовлення 899 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlms1503pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlms1503pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній