IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRLMS1503TRPBF за ціною від 7.53 грн до 49.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLMS1503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLMS1503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLMS1503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLMS1503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLMS1503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLMS1503TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLMS1503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLMS1503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 3.2A 100mOhm 6.4nC LogLvl |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLMS1503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLMS1503TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLMS1503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V |
на замовлення 51944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLMS1503TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRLMS1503TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
Micro6 (SOT-23-6L) |
на замовлення 899 шт: термін постачання 5 дні (днів) |