Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLMS1503TRPBF
IRLMS1503TRPBF

IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLMS1503TRPBF за ціною від 7.00 грн до 39.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlms1503pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668f6282644 Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.26 грн
6000+7.88 грн
9000+7.77 грн
15000+7.03 грн
21000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2406+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 2406
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002428625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.10 грн
500+14.37 грн
1000+11.86 грн
5000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A T/R
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.72 грн
26+23.63 грн
100+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
454+26.86 грн
695+17.53 грн
1000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 454
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002428625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.06 грн
33+25.36 грн
100+19.10 грн
500+14.37 грн
1000+11.86 грн
5000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlms1503pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668f6282644 Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
на замовлення 25740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.73 грн
13+24.92 грн
100+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLMS1503_DataSheet_v01_01_EN-3363561.pdf MOSFETs MOSFT 30V 3.2A 100mOhm 6.4nC LogLvl
на замовлення 9275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.90 грн
12+28.44 грн
100+10.94 грн
250+10.86 грн
3000+8.07 грн
6000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irlms1503pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668f6282644 Micro6 (SOT-23-6L)
на замовлення 899 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms1503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227CBB1072A5F1A303005056AB0C4F&compId=irlms1503pbf.pdf?ci_sign=6735421fd4c509c3d1d98293129cb2545deb82bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227CBB1072A5F1A303005056AB0C4F&compId=irlms1503pbf.pdf?ci_sign=6735421fd4c509c3d1d98293129cb2545deb82bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.