IRLMS1902TRPBF

IRLMS1902TRPBF Infineon / IR


Infineon_IRLMS1902_DataSheet_v01_01_EN-1732986.pdf
Виробник: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 20V 3.2A 100mOhm 4.7nC LogLvl
на замовлення 5077 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.83 грн
10+44.87 грн
100+29.12 грн
500+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLMS1902TRPBF Infineon / IR

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6), Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції IRLMS1902TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLMS1902TRPBF IRLMS1902TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlms1902pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535669061d2648 Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRPBF IRLMS1902TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlms1902pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.