Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLMS2002TRPBF
IRLMS2002TRPBF

IRLMS2002TRPBF Infineon Technologies

infineonirlms2002datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 10332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLMS2002TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.

Інші пропозиції IRLMS2002TRPBF за ціною від 10.22 грн до 61.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0003523308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLMS2002TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.58 грн
500+16.88 грн
1500+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLMS2002_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl
на замовлення 3937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.89 грн
15+22.23 грн
100+14.33 грн
500+14.05 грн
1000+13.77 грн
3000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0003523308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLMS2002TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+38.70 грн
50+24.99 грн
100+18.58 грн
500+16.88 грн
1500+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlms2002pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356690f42264a Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBF irlms2002pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356690f42264a MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlms2002pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356690f42264a Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlms2002pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.