IRLMS5703TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 23109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1547+ | 19.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLMS5703TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A MICRO6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLMS5703TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLMS5703TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 30V 2.4A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IRLMS5703TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.3A Power dissipation: 1.7W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IRLMS5703TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRLMS5703TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A MICRO6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRLMS5703TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET MOSFT P-Ch -2.3A 200mOhm 7.2nC LogLvl |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRLMS5703TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.3A Power dissipation: 1.7W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |