IRLMS6702TRPBF

IRLMS6702TRPBF Infineon / IR


Infineon_IRLMS6702_DataSheet_v01_01_EN-1732928.pdf Виробник: Infineon / IR
MOSFET MOSFT P-Ch -2.3A 200mOhm 5.8nC LogLvl
на замовлення 4507 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.67 грн
10+46.64 грн
100+30.24 грн
500+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLMS6702TRPBF Infineon / IR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRLMS6702TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLMS6702TRPBF IRLMS6702TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms6702-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702TRPBF IRLMS6702TRPBF
Код товару: 53730
Додати до обраних Обраний товар

irlms6702pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566923282650 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702TRPBF IRLMS6702TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlms6702-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.4A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702TRPBF IRLMS6702TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlms6702pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566923282650 Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6702TRPBF IRLMS6702TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlms6702pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566923282650 Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.