IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.22 грн |
| 6000+ | 11.67 грн |
| 9000+ | 11.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRLMS6802TRPBF за ціною від 8.10 грн до 56.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLMS6802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLMS6802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLMS6802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 9059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLMS6802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 8200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLMS6802TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLMS6802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 2875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLMS6802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -5.6A 50mOhm 11nC Log Lvl |
на замовлення 14269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLMS6802TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLMS6802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 2875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLMS6802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V |
на замовлення 12412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLMS6802TRPBF (IR) Код товару: 26801
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23-6 Uds,V: 20 V Id,A: 4,5 A Rds(on),Om: 0,050 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1079/11 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
 |
IRLMS6802TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.6A; 2W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.6A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |