IRLMS6802TRPBF (IR)
Код товару: 26801
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SOT-23-6
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,5 A
Rds(on),Om: 0,050 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1079/11
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLMS6802TRPBF (IR) за ціною від 9.09 грн до 53.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLMS6802TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLMS6802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 2075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLMS6802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLMS6802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -5.6A 50mOhm 11nC Log Lvl |
на замовлення 14269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLMS6802TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLMS6802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 2075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLMS6802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V |
на замовлення 412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLMS6802TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IRLMS6802TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.6A; 2W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.6A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |