IRLMS6802TRPBF (IR)
Код товару: 26801
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SOT-23-6
Напруга сток-витік Uds, V: 20 V
Струм стоку Id, A: 4,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 1079/11
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLMS6802TRPBF (IR) за ціною від 12.23 грн до 56.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLMS6802TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLMS6802TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLMS6802TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLMS6802TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLMS6802TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V |
на замовлення 412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLMS6802TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLMS6802TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -5.6A 50mOhm 11nC Log Lvl |
на замовлення 14269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLMS6802TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 21.62 грн |
| 500+ | 15.10 грн |
| IRLMS6802TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 388+ | 36.45 грн |
| 392+ | 36.08 грн |
| 549+ | 25.80 грн |
| 637+ | 21.41 грн |
| IRLMS6802TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 354+ | 39.98 грн |
| 539+ | 26.24 грн |
| 638+ | 22.20 грн |
| 1000+ | 18.41 грн |
| IRLMS6802TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 53.16 грн |
| 27+ | 30.16 грн |
| 100+ | 21.62 грн |
| 500+ | 15.10 грн |
| IRLMS6802TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 54.08 грн |
| 10+ | 32.08 грн |
| 100+ | 20.67 грн |
| IRLMS6802TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 56.99 грн |
| 21+ | 37.66 грн |
| 25+ | 36.45 грн |
| 50+ | 34.80 грн |
| 100+ | 23.03 грн |
| 250+ | 19.03 грн |
| 500+ | 12.23 грн |
| IRLMS6802TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT P-Ch -5.6A 50mOhm 11nC Log Lvl
MOSFETs MOSFT P-Ch -5.6A 50mOhm 11nC Log Lvl
на замовлення 14269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






