IRLP3034PBF Infineon Technologies
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 141.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLP3034PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLP3034PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 327 A, 0.0014 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 327A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRLP3034PBF за ціною від 138.23 грн до 429.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLP3034PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLP3034PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLP3034PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLP3034PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRLP3034PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 327A; 341W; TO247AC Case: TO247AC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Gate charge: 108nC On-state resistance: 1.7mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 341W Drain current: 327A Kind of package: tube |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRLP3034PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRLP3034PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLP3034PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 327 A, 0.0014 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 327A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLP3034PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 327A; 341W; TO247AC Case: TO247AC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Gate charge: 108nC On-state resistance: 1.7mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 341W Drain current: 327A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRLP3034PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 327A 1.7mOhm 108nC TO221 |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLP3034PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLP3034PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRLP3034PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |