IRLR024N (IR) - Транзистори - Польові N-канальні
IRLR024N
Код товару: 1527
Виробник: IRКорпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Монтаж: SMD
в наявності: 0 шт
очікується: 0 шт
Технічний опис IRLR024N
- Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, Dr
- Case style: TO-252
- Current, Id cont: 17A @ 25`C
- Current, Idm pulse: 72A
- Power, Pd: 38W @ 25`C
- Resistance, Rds on: 0.065R
- Transistor polarity: N Channel
- Voltage, Vds max: 55V
- Manufacturer, abbreviated: IR
- Power dissipation: 38W @ 25`C
- Temperature, current: 25`C
- Temperature, power rating: 25`C
- Transistors, number of: 1
- Voltage, Vgs th max: 2V
Ціна IRLR024N від 0 грн до 0 грн
|
IRLR024N Виробник: IR 09+
|
на замовлення 5030 шт  термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|
|
IRLR024N Виробник: IR 09+ SMD
|
на замовлення 1000 шт термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|
|
IRLR024N Виробник: IR TO-252
|
на замовлення 7500 шт термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|
|
IRLR024N Виробник: IRF N/A
|
на замовлення 1056 шт термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|
 Виробник: Infineon Technologies Description: HEX/MOS N-CH 55V 17A D-PAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Part Status: Obsolete FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: D-Pak Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
|
IRLR024N Виробник: IR 07+ TO-252
|
на замовлення 7500 шт термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|
|
Виробник: Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: D-Pak Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Obsolete
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
|
Виробник: International Rectifier [CI] Description: MOSFET 55V .065 RDS D-PAK SMD Part Status: Obsolete FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: D-Pak Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
|
IRLR024N Виробник: International Rectifier Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
|
Виробник: International Rectifier [CI] Description: MOSFET 55V .065 RDS D-PAK SMD Packaging: Bulk Part Status: Obsolete FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: D-Pak Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
|
IRLR024N Виробник: IR - ASA only Supplier Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|