Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR024NPBF
IRLR024NPBF

IRLR024NPBF

irlr024npbf-datasheet.pdf
Код товару: 113439
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+6.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLR024NPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR024NPBF International Rectifier irlr024npbf-irlu024npbf.pdf DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NPBF International Rectifier/Infineon IRLR024N_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 17 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 65 Ом @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 45, Тексп, °C = -55 ...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NPBF IRLR024NPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NPBF IRLR024NPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NPBF irlr024npbf-irlu024npbf.pdf
Виробник: International Rectifier
DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NPBF IRLR024N_IR.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 17 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 65 Ом @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 45, Тексп, °C = -55 ...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NPBF irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
IRLR024NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NPBF irlr024npbf.pdf
IRLR024NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.