IRLR024ZPBF
Код товару: 43945
Виробник: IRUds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Монтаж: SMD
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR024ZPBF IR
- MOSFET, N, LOGIC, D-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:16A
- On State Resistance:58mohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:3V
- Case Style:DPAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D-PAK
- Max Voltage Vds:55V
- Power Dissipation Pd:35W
- Pulse Current Idm:64A
- SMD Marking:IRLR024Z
- Transistor Case Style:D-PAK
Інші пропозиції IRLR024ZPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR024ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
|
 |
IRLR024ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 16A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRLR024ZPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 6.6nC |
товар відсутній |