IRLR120NTRLPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 30.62 грн |
| 6000+ | 30.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR120NTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRLR120NTRLPBF за ціною від 28.05 грн до 101.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLR120NTRLPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR120NTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR120NTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR120NTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLR120NTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLR120NTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IRLR120NTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRLR120NTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 30.82 грн |
| 6000+ | 30.72 грн |
| IRLR120NTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 599+ | 59.10 грн |
| 1000+ | 54.50 грн |
| IRLR120NTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 599+ | 59.10 грн |
| 1000+ | 54.50 грн |
| IRLR120NTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 599+ | 59.10 грн |
| 1000+ | 54.50 грн |
| IRLR120NTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
MOSFETs MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.14 грн |
| 10+ | 71.98 грн |
| 100+ | 44.47 грн |
| 500+ | 35.95 грн |
| 1000+ | 32.14 грн |
| 3000+ | 28.76 грн |
| 6000+ | 28.05 грн |
| IRLR120NTRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLR120NTRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)