Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR120NTRPBF
IRLR120NTRPBF

IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+25.52 грн
4000+22.68 грн
6000+21.71 грн
10000+19.35 грн
14000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Можливі заміни IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR120NPBF IRLR120NPBF
Код товару: 32182
Додати до обраних Обраний товар
irlr120npbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 41 шт
30 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRLR120NTRPBF за ціною від 12.90 грн до 94.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 11627 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+71.56 грн
10+43.07 грн
100+32.39 грн
250+28.94 грн
500+26.41 грн
1000+23.89 грн
2000+21.53 грн
4000+19.43 грн
6000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR120N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
на замовлення 23085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.90 грн
10+49.26 грн
100+32.84 грн
500+25.79 грн
1000+23.41 грн
2000+20.48 грн
4000+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.50 грн
15+56.66 грн
100+43.37 грн
500+31.65 грн
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 15160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.34 грн
10+57.23 грн
100+37.85 грн
500+27.70 грн
1000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irlr120npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 11, Ptot, Вт = 39, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Rds = 185 @ 10 В, 6 А мОм, Tексп, °C = -55...+175,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 473 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
75+19.31 грн
150+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF
Код товару: 22353
Додати до обраних Обраний товар
Виробник : IR irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+14.50 грн
100+12.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : International Rectifier IRLR120NPBF-IRLU120NPBF.pdf (MFET,N-CH,100V,10A,0.2 OM,TO-252AA) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.