IRLR120NTRPBF

IRLR120NTRPBF Infineon Technologies


infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+34.22 грн
21+30.06 грн
25+29.83 грн
100+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Можливі заміни IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR120NPBF IRLR120NPBF
Код товару: 32182
Додати до обраних Обраний товар

irlr120npbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 442 шт
414 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRLR120NTRPBF за ціною від 12.90 грн до 74.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DC6E36566F1A303005056AB0C4F&compId=irlr120npbf.pdf?ci_sign=86901e93310b5239412647addcb5f48867ee4e34 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.79 грн
50+29.01 грн
57+16.35 грн
156+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF
Код товару: 22353
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+16.00 грн
10+14.50 грн
100+12.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+22.89 грн
4000+19.15 грн
6000+18.53 грн
10000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+24.89 грн
4000+21.64 грн
6000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.46 грн
4000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+27.04 грн
4000+20.56 грн
6000+19.95 грн
10000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+31.26 грн
1000+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
347+35.31 грн
394+31.07 грн
500+30.82 грн
1000+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.82 грн
500+31.44 грн
1000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DC6E36566F1A303005056AB0C4F&compId=irlr120npbf.pdf?ci_sign=86901e93310b5239412647addcb5f48867ee4e34 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.74 грн
50+36.14 грн
57+19.62 грн
156+18.49 грн
4000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.67 грн
10+44.96 грн
100+35.18 грн
500+27.85 грн
1000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR120N_DataSheet_v01_01_EN-3363444.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.18 грн
10+46.86 грн
25+40.60 грн
100+32.30 грн
250+32.22 грн
500+27.62 грн
1000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.83 грн
16+54.52 грн
100+41.82 грн
500+31.44 грн
1000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Транз. Пол. БМ DPAK MOSFET N-Channel U=100V I=10A Rds=185 mOhm @ 6A, 10V, 48 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+58.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.