Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR120NTRPBF
IRLR120NTRPBF

IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+24.53 грн
4000+21.29 грн
6000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Можливі заміни IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR120NPBF IRLR120NPBF
Код товару: 32182
Додати до обраних Обраний товар

irlr120npbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 289 шт
244 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRLR120NTRPBF за ціною від 12.90 грн до 62.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.42 грн
4000+19.99 грн
10000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.92 грн
4000+20.37 грн
10000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+28.31 грн
4000+21.41 грн
10000+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+28.73 грн
4000+21.75 грн
10000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
381+32.51 грн
520+23.85 грн
552+22.44 грн
1000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 381
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+33.82 грн
1000+31.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+36.10 грн
1000+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DC6E36566F1A303005056AB0C4F&compId=irlr120npbf.pdf?ci_sign=86901e93310b5239412647addcb5f48867ee4e34 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+48.83 грн
10+39.77 грн
50+33.09 грн
57+16.55 грн
157+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 9983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.87 грн
10+44.79 грн
100+33.39 грн
500+27.45 грн
1000+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRLR120N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
на замовлення 5571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.66 грн
10+48.65 грн
100+31.54 грн
500+27.80 грн
1000+25.12 грн
2000+21.38 грн
4000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DC6E36566F1A303005056AB0C4F&compId=irlr120npbf.pdf?ci_sign=86901e93310b5239412647addcb5f48867ee4e34 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.60 грн
10+49.57 грн
50+39.71 грн
57+19.86 грн
157+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.02 грн
16+53.97 грн
100+40.26 грн
500+31.66 грн
1000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF
Код товару: 22353
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+14.50 грн
100+12.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.