Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR120NTRPBF
IRLR120NTRPBF

IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+24.26 грн
4000+21.10 грн
6000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Можливі заміни IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR120NPBF IRLR120NPBF
Код товару: 32182
Додати до обраних Обраний товар

irlr120npbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 444 шт
416 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRLR120NTRPBF за ціною від 12.90 грн до 81.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+25.17 грн
4000+19.14 грн
6000+18.57 грн
10000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.97 грн
4000+20.51 грн
6000+19.90 грн
10000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+31.41 грн
1000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+33.67 грн
1000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+38.51 грн
19+33.41 грн
25+33.08 грн
100+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DC6E36566F1A303005056AB0C4F&compId=irlr120npbf.pdf?ci_sign=86901e93310b5239412647addcb5f48867ee4e34 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.79 грн
50+28.28 грн
57+15.86 грн
157+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
307+39.78 грн
354+34.49 грн
500+34.16 грн
1000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF
Код товару: 22353
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+16.00 грн
10+14.50 грн
100+12.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DC6E36566F1A303005056AB0C4F&compId=irlr120npbf.pdf?ci_sign=86901e93310b5239412647addcb5f48867ee4e34 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.55 грн
50+35.24 грн
57+19.04 грн
157+18.02 грн
4000+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.07 грн
10+43.83 грн
100+34.29 грн
500+27.15 грн
1000+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR120N_DataSheet_v01_01_EN-3363444.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.35 грн
10+50.42 грн
25+43.63 грн
100+34.50 грн
250+34.36 грн
500+28.69 грн
1000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.95 грн
15+56.94 грн
100+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF Виробник : HXY MOSFET irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 12A; 17W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF; SP001577026; SP001568906; SP001574026; IRLR120NTRPBF HXY MOSFET TIRLR120n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Транз. Пол. БМ DPAK MOSFET N-Channel U=100V I=10A Rds=185 mOhm @ 6A, 10V, 48 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.