Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR120NTRPBF
IRLR120NTRPBF

IRLR120NTRPBF

infineon-irlr120n-datasheet-en.pdf
Код товару: 22353
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,185 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
2+16.00 грн
10+14.50 грн
100+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR120NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:11A
  • Package/Case:D-PAK
  • Power Dissipation, Pd:39W
  • Continuous Drain Current - 100 Deg C:6.9A
  • Drain Source On Resistance @ 10V:185mohm

Можливі заміни IRLR120NTRPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR120NPBF IRLR120NPBF
Код товару: 32182
Додати до обраних Обраний товар
IR irlr120npbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,185 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 454 шт
  • 424 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBF
Код товару: 32182
Додати до обраних Обраний товар
description irlr120npbf-datasheet.pdf
IRLR120NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,185 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 454 шт
  • 424 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRLR120NTRPBF за ціною від 15.94 грн до 112.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.10 грн
6000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.25 грн
4000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.85 грн
4000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.92 грн
4000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 39W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.21 грн
12+35.16 грн
50+19.06 грн
137+17.99 грн
2000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 16958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.22 грн
10+48.43 грн
50+35.83 грн
100+29.79 грн
500+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR120N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
на замовлення 51123 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+86.17 грн
10+39.78 грн
100+29.91 грн
500+23.55 грн
1000+21.65 грн
2000+17.92 грн
4000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.35 грн
13+62.65 грн
50+47.93 грн
100+41.16 грн
500+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+90.35 грн
228+62.65 грн
298+47.93 грн
334+41.16 грн
500+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.73 грн
11+70.38 грн
50+52.04 грн
100+44.47 грн
500+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+112.73 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF Infineon infineon-irlr120n-datasheet-en.pdf description (MFET,N-CH,100V,10A,0.2 OM,TO-252AA) Транзистори
на замовлення 990 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
30+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description infineon-irlr120n-datasheet-en.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+21.10 грн
6000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.25 грн
4000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.85 грн
4000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.92 грн
4000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description irlr120npbf.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 39W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+78.21 грн
12+35.16 грн
50+19.06 грн
137+17.99 грн
2000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description infineon-irlr120n-datasheet-en.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 16958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.22 грн
10+48.43 грн
50+35.83 грн
100+29.79 грн
500+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description Infineon_IRLR120N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
на замовлення 51123 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.17 грн
10+39.78 грн
100+29.91 грн
500+23.55 грн
1000+21.65 грн
2000+17.92 грн
4000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+90.35 грн
13+62.65 грн
50+47.93 грн
100+41.16 грн
500+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+90.35 грн
228+62.65 грн
298+47.93 грн
334+41.16 грн
500+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+112.73 грн
11+70.38 грн
50+52.04 грн
100+44.47 грн
500+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
127+112.73 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR120NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR120NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description infineon-irlr120n-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon
(MFET,N-CH,100V,10A,0.2 OM,TO-252AA) Транзистори
на замовлення 990 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.