Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR2703TRPBF
IRLR2703TRPBF

IRLR2703TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2703TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR2703TRPBF за ціною від 23.10 грн до 106.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a Description: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.82 грн
4000+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.14 грн
500+30.31 грн
1000+25.75 грн
5000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
640+47.62 грн
1000+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 640
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
640+47.62 грн
1000+43.91 грн
10000+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 640
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
640+47.62 грн
1000+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 640
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : INFINEON irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.03 грн
14+60.48 грн
100+43.14 грн
500+30.31 грн
1000+25.75 грн
5000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR2703_DataSheet_v01_01_EN-3363437.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 6.2nC
на замовлення 5168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.90 грн
10+65.84 грн
100+39.11 грн
500+35.19 грн
1000+32.29 грн
2000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a Description: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 5218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.76 грн
10+65.16 грн
100+43.52 грн
500+32.12 грн
1000+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 96A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 96A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 96A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.