Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR2703TRPBF
IRLR2703TRPBF

IRLR2703TRPBF Infineon Technologies

irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.37 грн
4000+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2703TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 45W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.

Інші пропозиції IRLR2703TRPBF за ціною від 28.87 грн до 105.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Infineon Technologies irlr2703pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
640+55.21 грн
1000+50.91 грн
10000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Infineon Technologies irlr2703pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
640+55.21 грн
1000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Infineon Technologies irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a Description: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
на замовлення 5218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.15 грн
10+64.18 грн
100+42.87 грн
500+31.64 грн
1000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR2703_DataSheet_v01_01_EN-3363437.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 6.2nC
на замовлення 5168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF irlr2703pbf.pdf
IRLR2703TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
640+55.21 грн
1000+50.91 грн
10000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF irlr2703pbf.pdf
IRLR2703TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
640+55.21 грн
1000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a
IRLR2703TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
на замовлення 5218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.15 грн
10+64.18 грн
100+42.87 грн
500+31.64 грн
1000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF INFN-S-A0012905542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2703TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF Infineon_IRLR2703_DataSheet_v01_01_EN-3363437.pdf
IRLR2703TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 6.2nC
на замовлення 5168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF INFN-S-A0012905542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2703TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.