IRLR2705TRLPBF INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR2705TRLPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRLR2705TRLPBF за ціною від 19.62 грн до 82.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR2705TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR2705TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLR2705TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 24A 40mOhm 16.7nC LogLvl |
на замовлення 22697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IRLR2705TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 238+ | 59.36 грн |
| 311+ | 45.43 грн |
| 350+ | 40.37 грн |
| 388+ | 35.12 грн |
| 500+ | 30.48 грн |
| 1000+ | 21.51 грн |
| IRLR2705TRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 69.49 грн |
| 50+ | 47.26 грн |
| 100+ | 34.05 грн |
| 500+ | 24.91 грн |
| IRLR2705TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 24A 40mOhm 16.7nC LogLvl
MOSFETs MOSFT 55V 24A 40mOhm 16.7nC LogLvl
на замовлення 22697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.87 грн |
| 10+ | 55.24 грн |
| 100+ | 32.42 грн |
| 500+ | 25.67 грн |
| 1000+ | 23.42 грн |
| 3000+ | 21.17 грн |
| 6000+ | 19.62 грн |