IRLR2705TRPBF
Код товару: 122892
Виробник: IRКорпус: TO-252/D-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 28 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 71 шт:
39 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 28.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLR2705TRPBF за ціною від 13.31 грн до 89.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 196000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 134000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 86000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 196000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC |
на замовлення 34616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
на замовлення 25377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLR2705TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRLR2705TRPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 4160 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRLR2905 Код товару: 30677
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 50.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
| 100+ | 12.20 грн |
| CDRH4D28NP-100NC (10uH, ±30%, Idc=1.0А, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm) Sumida (дросель силовий) Код товару: 28829
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 10 µH
Точність: ±30%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 10uH, ±30%, Idc=1.0А, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm
Тип: CDRH4
Габарити: 4,7x4,7мм, h=3,0мм
Робочий струм, А: 1A
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 10 µH
Точність: ±30%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 10uH, ±30%, Idc=1.0А, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm
Тип: CDRH4
Габарити: 4,7x4,7мм, h=3,0мм
Робочий струм, А: 1A
у наявності: 15 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 12.50 грн |
| 10+ | 8.90 грн |
| 100+ | 7.70 грн |
| IRL2505PBF Код товару: 27992
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 139 шт
105 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 66.00 грн |
| 10+ | 59.40 грн |
| Склотекстоліт FR4100X160 / 3500 (світлочутлива плата 160x100мм одностороння) Код товару: 25192
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Bungard
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Склотекстоліти, фоторезист
Категорія: Світлочутлива плата
Опис: Світлочутлива плата 100x160мм з одностороннім фольгуванням, позитивний фоторезист
Розмір: 100 x 160 mm
Товщина: 1,5 mm
Вид: односторонній
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Склотекстоліти, фоторезист
Категорія: Світлочутлива плата
Опис: Світлочутлива плата 100x160мм з одностороннім фольгуванням, позитивний фоторезист
Розмір: 100 x 160 mm
Товщина: 1,5 mm
Вид: односторонній
у наявності: 5 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
5 шт
5 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 132.00 грн |
| BZV55-C27 Код товару: 14045
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 27 V
Струм стабілізації, Izt: 2mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 22.7mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 27 V
Струм стабілізації, Izt: 2mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 22.7mV/K
у наявності: 78 шт
7 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 2.00 грн |
| 46+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |








