Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR2705TRPBF
IRLR2705TRPBF

IRLR2705TRPBF

irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 IRSDS10966-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Код товару: 122892
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 28 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 880/25
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 71 шт
  • 39 шт - склад
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+28.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLR2705TRPBF за ціною від 11.38 грн до 74.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.86 грн
4000+13.97 грн
6000+13.31 грн
10000+11.79 грн
14000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.22 грн
4000+19.42 грн
10000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.28 грн
4000+19.46 грн
10000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.81 грн
100+33.14 грн
500+25.49 грн
1000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+47.81 грн
426+33.14 грн
554+25.49 грн
1000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 14212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.40 грн
10+37.60 грн
100+24.35 грн
500+17.50 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2705pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+74.84 грн
10+50.13 грн
50+34.50 грн
100+29.45 грн
500+21.67 грн
1000+19.52 грн
2000+17.87 грн
4000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRLR2705-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC
на замовлення 61513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673
IRLR2705TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+15.86 грн
4000+13.97 грн
6000+13.31 грн
10000+11.79 грн
14000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF irlr2705pbf.pdf
IRLR2705TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+22.22 грн
4000+19.42 грн
10000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF irlr2705pbf.pdf
IRLR2705TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+22.28 грн
4000+19.46 грн
10000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF irlr2705pbf.pdf
IRLR2705TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+47.81 грн
100+33.14 грн
500+25.49 грн
1000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF irlr2705pbf.pdf
IRLR2705TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
296+47.81 грн
426+33.14 грн
554+25.49 грн
1000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673
IRLR2705TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 14212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.40 грн
10+37.60 грн
100+24.35 грн
500+17.50 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF irlr2705pbf.pdf
IRLR2705TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+74.84 грн
10+50.13 грн
50+34.50 грн
100+29.45 грн
500+21.67 грн
1000+19.52 грн
2000+17.87 грн
4000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF Infineon-IRLR2705-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IRLR2705TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC
на замовлення 61513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2705TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2705TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRLML2060TRPBF
Код товару: 38415
1 Додати до обраних Обраний товар
irlml2060pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664b7fb25ee
IRLML2060TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 1,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,48 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 64/.67
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 434 шт
  • 64 шт - склад
  • 83 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 180 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 30 шт
  • 30 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905
Код товару: 30677
2 Додати до обраних Обраний товар
description
IRLR2905
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,027 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/48
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CDRH4D28NP-100NC (10uH, ±30%, Idc=1.0A, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm) Sumida (дросель силовий)
Код товару: 28829
Додати до обраних Обраний товар
CDRH4D28.pdf
CDRH4D28NP-100NC (10uH, ±30%, Idc=1.0A, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm) Sumida (дросель силовий)
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 10 мкГн
Точність: ±30%
Характеристики: Силова, дротяна в броньованому феритовому осерді, 10uH, ±30%, Idc=1.0A, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm
Тип: CDRH4
Габарити: 4,7x4,7 мм, h=3,0 мм
Робочий струм, А: 1 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
у наявності: 164 шт
  • 93 шт - склад
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 43 шт
  • 43 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+12.50 грн
10+8.90 грн
100+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR4100X160/3500 (світлочутлива плата 160x100 мм одностороння)
Код товару: 25192
1 Додати до обраних Обраний товар
FR4100X160/3500 (світлочутлива плата 160x100 мм одностороння)
Виробник: Bungard
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Склотекстоліти, фоторезист
Категорія: Світлочутлива плата
Опис: Світлочутлива плата 100x160 мм з одностороннім фольгуванням, позитивний фоторезист
Розмір: 100 x 160 мм
Товщина: 1,5 мм
Вид: односторонній
на замовлення: 4 шт
  • 4 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+132.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55-C27
Код товару: 14045
Додати до обраних Обраний товар
BZV55.pdf
BZV55-C27
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, В: 27 В
Струм стабілізації Izt, мА: 2 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 22,7 мВ/K
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
у наявності: 78 шт
  • 7 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 334 шт
  • 334 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
19+1.10 грн
100+0.80 грн
1000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.