IRLR2705TRPBF
Код товару: 122892
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-252/D-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 28 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 28.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLR2705TRPBF за ціною від 14.59 грн до 89.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 28A Power dissipation: 68W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® |
на замовлення 6074 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
на замовлення 22053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC |
на замовлення 70713 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| IRLR2705TRPBF | Виробник : International Rectifier |
MOSFET N-CH 55V 28A TO-252 (D-Pack) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
| IRLR2705TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 28 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 5 В, Rds = 40 мОм @ 17 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шткількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRLR2905 Код товару: 30677
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Монтаж: SMD
у наявності: 28 шт
28 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
| 100+ | 12.20 грн |
| CDRH4D28NP-100NC (10uH, ±30%, Idc=1.0А, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm) Sumida (дросель силовий) Код товару: 28829
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 10 µH
Точність: ±30%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 10uH, ±30%, Idc=1.0А, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm
Тип: CDRH4
Габарити: 4,7x4,7мм, h=3,0мм
Робочий струм, А: 1A
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 10 µH
Точність: ±30%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 10uH, ±30%, Idc=1.0А, Rdc max/typ=128.3/95 mOhm, SMD: 4.7x4.7mm, h=3.0mm
Тип: CDRH4
Габарити: 4,7x4,7мм, h=3,0мм
Робочий струм, А: 1A
у наявності: 198 шт
120 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 12.50 грн |
| 10+ | 8.90 грн |
| 100+ | 7.70 грн |
| IRL2505PBF Код товару: 27992
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 131 шт
105 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 66.00 грн |
| 10+ | 59.40 грн |
| Склотекстоліт FR4100X160 / 3500 (світлочутлива плата 160x100мм одностороння) Код товару: 25192
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Bungard
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Склотекстоліти, фоторезист
Категорія: Світлочутлива плата
Опис: Світлочутлива плата 100x160мм з одностороннім фольгуванням, позитивний фоторезист
Розмір: 100 x 160 mm
Товщина: 1,5 mm
Вид: односторонній
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Склотекстоліти, фоторезист
Категорія: Світлочутлива плата
Опис: Світлочутлива плата 100x160мм з одностороннім фольгуванням, позитивний фоторезист
Розмір: 100 x 160 mm
Товщина: 1,5 mm
Вид: односторонній
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 132.00 грн |
| BZV55-C27 Код товару: 14045
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 27 V
Струм стабілізації, Izt: 2mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 22.7mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 27 V
Струм стабілізації, Izt: 2mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 22.7mV/K
у наявності: 78 шт
7 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |









