
IRLR2705TRPBF

Код товару: 122892
Виробник: IRUds,V: 55 V
Idd,A: 28 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 72 шт:
59 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 35.00 грн |
10+ | 31.50 грн |
100+ | 28.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLR2705TRPBF за ціною від 12.27 грн до 81.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR2705TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR2705TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 28A Power dissipation: 68W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
на замовлення 19704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR2705TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 28A Power dissipation: 68W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 979 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 29274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR2705TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 595 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 110 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRLR2705TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
47uF 400V EXR 16x31,5mm (low imp.) (EXR470M2GB-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 17671
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 16х31,5mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 16х31,5mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 320 шт
307 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
1000 шт
1000 шт - очікується 28.08.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 28.00 грн |
10+ | 25.20 грн |
100+ | 22.50 грн |
IRL2505PBF Код товару: 27992
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 104 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 118 шт
39 шт - склад
38 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
38 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 66.00 грн |
10+ | 59.40 грн |
KCD1-101 B/B Код товару: 166609
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Daier
Пасивні компоненти > Перемикачі, тумблери
Група: Перемикач Rocker
Монтаж: Клеми з отвором
Габарити: 21x15x25 (з клемами) mm
Опис Опис: ON-OFF, 2 контакти, без підсвічування, на защіпках, колір чорний. Монтажний отвір: 19,2x13,2 mm
Кількість положень: 2
Навантажувальна здатність: 6 (4) A / 250 VAC
Пасивні компоненти > Перемикачі, тумблери
Група: Перемикач Rocker
Монтаж: Клеми з отвором
Габарити: 21x15x25 (з клемами) mm
Опис Опис: ON-OFF, 2 контакти, без підсвічування, на защіпках, колір чорний. Монтажний отвір: 19,2x13,2 mm
Кількість положень: 2
Навантажувальна здатність: 6 (4) A / 250 VAC
у наявності: 1787 шт
1395 шт - склад
94 шт - РАДІОМАГ-Київ
98 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Одеса
100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
94 шт - РАДІОМАГ-Київ
98 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Одеса
100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
100 шт
100 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 8.00 грн |
10+ | 6.80 грн |
100+ | 5.75 грн |
1000+ | 3.80 грн |
82pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N820J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD) Код товару: 2219
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 82 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 82 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
у наявності: 8678 шт
1100 шт - склад
2300 шт - РАДІОМАГ-Київ
855 шт - РАДІОМАГ-Львів
2290 шт - РАДІОМАГ-Харків
2133 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2300 шт - РАДІОМАГ-Київ
855 шт - РАДІОМАГ-Львів
2290 шт - РАДІОМАГ-Харків
2133 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 0.90 грн |
100+ | 0.70 грн |
1000+ | 0.60 грн |
BC807-25 Код товару: 2039
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 80 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,5 A
h21,max: 400
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 80 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,5 A
h21,max: 400
у наявності: 18 шт
9 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 1.50 грн |
10+ | 1.10 грн |
100+ | 0.80 грн |
1000+ | 0.60 грн |
10000+ | 0.50 грн |