IRLR2905PBF HXY MOSFET

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905PBF; IRLR2905TRLPBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905TRRPBF; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420; IRLR2905PBF HXY MOSFET TIRLR2905 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 13.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR2905PBF HXY MOSFET
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Можливі заміни IRLR2905PBF HXY MOSFET
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLR2905TRPBF Код товару: 86018
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
![]() Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
очікується:
3100 шт
100 шт - очікується
3000 шт - очікується 20.06.2025 |
|
Інші пропозиції IRLR2905PBF за ціною від 16.00 грн до 31.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLR2905PBF | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
![]() |
IRLR2905PBF Код товару: 102405
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
![]() Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||
![]() |
IRLR2905PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IRLR2905PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IRLR2905PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IRLR2905PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |