IRLR2905TRPBF

IRLR2905TRPBF


irlr2905pbf-datashet.pdf
Код товару: 86018
Виробник: IR
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 3798 шт:

3797 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+24.5 грн
10+ 21.8 грн
100+ 19.3 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2905TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:36A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):40mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:110W

Можливі заміни IRLR2905TRPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Код товару: 181683
Виробник : Китай irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Монтаж: SMD
у наявності: 18 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+27.5 грн
10+ 24.8 грн

Інші пропозиції IRLR2905TRPBF за ціною від 24.8 грн до 124.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Код товару: 181683
Виробник : Китай irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Монтаж: SMD
у наявності: 18 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+27.5 грн
10+ 24.8 грн
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+36.2 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 19240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
220+46.43 грн
248+ 41.21 грн
500+ 38.36 грн
1000+ 32.38 грн
2000+ 28.08 грн
6000+ 25.28 грн
10000+ 25.03 грн
Мінімальне замовлення: 220
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 19240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+50.15 грн
12+ 46.43 грн
100+ 41.21 грн
500+ 36.99 грн
1000+ 29.99 грн
2000+ 26.96 грн
6000+ 25.28 грн
10000+ 25.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
187+54.53 грн
213+ 47.95 грн
242+ 42.15 грн
253+ 38.89 грн
500+ 34 грн
1000+ 31.01 грн
2000+ 29.45 грн
Мінімальне замовлення: 187
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
146+69.85 грн
148+ 69.08 грн
184+ 55.5 грн
292+ 33.73 грн
Мінімальне замовлення: 146
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.95 грн
8+ 42.17 грн
10+ 37.55 грн
24+ 31.96 грн
66+ 30.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+78.76 грн
500+ 54.68 грн
2000+ 49.5 грн
4000+ 48.47 грн
6000+ 47.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+82.33 грн
10+ 69.85 грн
25+ 69.08 грн
100+ 53.52 грн
250+ 31.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 625 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+85.14 грн
5+ 52.54 грн
10+ 45.06 грн
24+ 38.35 грн
66+ 36.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 6138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.57 грн
10+ 68.98 грн
100+ 53.64 грн
500+ 42.66 грн
1000+ 34.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR2905_DataSheet_v01_01_EN-3363438.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.71 грн
10+ 76.37 грн
100+ 51.17 грн
500+ 44.4 грн
1000+ 36.18 грн
2000+ 34.03 грн
4000+ 32.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+124.87 грн
10+ 102.17 грн
100+ 78.76 грн
500+ 54.68 грн
2000+ 49.5 грн
4000+ 48.47 грн
6000+ 47.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній

З цим товаром купують

IRLR2905Z
Код товару: 4031
irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
IRLR2905Z
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1283 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+46.5 грн
10+ 37.4 грн
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1768
RC_series.pdf
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 3441 шт
очікується: 100000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
100+0.12 грн
1000+ 0.09 грн
10000+ 0.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (резистор SMD)
Код товару: 3689
RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 43474 шт
очікується: 60000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
100+0.15 грн
1000+ 0.12 грн
10000+ 0.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
100 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-100KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 4604
RC_series.pdf
100 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-100KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 15040 шт
очікується: 40000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
100+0.15 грн
1000+ 0.12 грн
10000+ 0.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLR024NTRPBF
Код товару: 22061
description irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
IRLR024NTRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2100 шт
очікується: 4000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+15 грн
10+ 12.5 грн
100+ 11.9 грн