Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR2905TRPBF
IRLR2905TRPBF

IRLR2905TRPBF

irlr2905pbf-datashet.pdf
Код товару: 86018
Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 1412 шт:
1059 шт - склад
174 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
93 шт - РАДІОМАГ-Харків
69 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+24.50 грн
10+21.80 грн
100+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2905TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:36A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):40mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:110W

Можливі заміни IRLR2905TRPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR2905 IRLR2905
Код товару: 30677
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Монтаж: SMD
у наявності: 34 шт
34 шт - склад
Кількість Ціна
2+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Код товару: 181683
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Китай irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 2097 шт
2071 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRLR2905TRPBF за ціною від 21.80 грн до 137.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Код товару: 181683
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Китай irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 2097 шт
2071 шт - склад
26 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.04 грн
4000+28.64 грн
6000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
361+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 361
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+37.59 грн
4000+37.03 грн
6000+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.65 грн
4000+40.04 грн
6000+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+43.34 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.52 грн
500+42.93 грн
1000+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
496+65.03 грн
551+58.53 грн
1000+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 496
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.89 грн
6+80.99 грн
10+68.97 грн
20+58.17 грн
50+47.04 грн
100+40.99 грн
500+32.48 грн
1000+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRLR2905-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 3226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.28 грн
10+71.91 грн
100+45.67 грн
500+36.09 грн
1000+33.03 грн
2000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 44647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.45 грн
10+78.34 грн
100+52.57 грн
500+38.97 грн
1000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.27 грн
5+100.93 грн
10+82.76 грн
20+69.80 грн
50+56.45 грн
100+49.18 грн
500+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+137.18 грн
50+84.84 грн
100+58.52 грн
500+42.93 грн
1000+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 MOSFET N-CH 55V 42A TO-252AA (DPAK)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

220 Ohm 5% 0,25W вив. (CF1/4W-220R)
Код товару: 92206
Додати до обраних Обраний товар

cf_resistor-datasheet.pdf
220 Ohm 5% 0,25W вив. (CF1/4W-220R)
Виробник: SR PASSIVES
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 220 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,4 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 19841 шт
19015 шт - склад
358 шт - РАДІОМАГ-Київ
468 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano)
Код товару: 13787
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
товару немає в наявності
очікується: 40000 шт
40000 шт - очікується 30.04.2026
Кількість Ціна
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF
Код товару: 23070
Додати до обраних Обраний товар

description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності: 1242 шт
1056 шт - склад
87 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Код товару: 52241
Додати до обраних Обраний товар

cl_series_mlcc_datasheet.pdf
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 10041 шт
10000 шт - склад
41 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
10+5.60 грн
100+5.00 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG – Samsung)
Код товару: 60674
Додати до обраних Обраний товар

cl_series_mlcc_datasheet.pdf
1uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG – Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 1 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 8977 шт
5136 шт - склад
2990 шт - РАДІОМАГ-Київ
771 шт - РАДІОМАГ-Львів
80 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 30000 шт
30000 шт - очікується 23.04.2026
Кількість Ціна
20+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.