Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR2905TRPBF
IRLR2905TRPBF

IRLR2905TRPBF

irlr2905pbf-datashet.pdf
Код товару: 86018
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 1294 шт:
1011 шт - склад
131 шт - РАДІОМАГ-Київ
83 шт - РАДІОМАГ-Харків
69 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+24.50 грн
10+21.80 грн
100+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2905TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:36A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):40mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:110W

Можливі заміни IRLR2905TRPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Код товару: 181683
1 Додати до обраних Обраний товар
Виробник : Китай irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 2046 шт
2021 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRLR2905TRPBF за ціною від 30.68 грн до 146.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
361+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 361
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.07 грн
4000+38.63 грн
6000+38.24 грн
10000+36.52 грн
14000+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.61 грн
4000+41.06 грн
6000+40.66 грн
10000+38.82 грн
14000+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.04 грн
500+45.50 грн
1000+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
496+65.33 грн
551+58.80 грн
1000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 496
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.05 грн
5+85.30 грн
10+71.25 грн
20+57.70 грн
40+47.11 грн
50+44.41 грн
100+38.44 грн
200+34.91 грн
2000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+123.56 грн
174+74.72 грн
228+56.79 грн
500+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRLR2905-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 7059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.89 грн
10+81.17 грн
100+45.63 грн
500+38.51 грн
1000+35.22 грн
2000+31.87 грн
4000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.75 грн
50+84.79 грн
100+62.04 грн
500+45.50 грн
1000+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF Виробник : International Rectifier irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 MOSFET N-CH 55V 42A TO-252AA (DPAK) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irlr2905pbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

220 Ohm 5% 0,25W вив. (CF1/4W-220R)
Код товару: 92206
1 Додати до обраних Обраний товар
cf_resistor-datasheet.pdf
220 Ohm 5% 0,25W вив. (CF1/4W-220R)
Виробник: SR PASSIVES
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 220 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,4 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 18978 шт
18382 шт - склад
168 шт - РАДІОМАГ-Київ
428 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano)
Код товару: 13787
6 Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 3496 шт
3496 шт - склад
очікується: 30500 шт
500 шт - очікується
30000 шт - очікується
Кількість Ціна
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
1uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG – Samsung)
Код товару: 60674
2 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
1uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG – Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 1 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 1421 шт
670 шт - РАДІОМАГ-Київ
751 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
20+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54WS
Код товару: 194283
Додати до обраних Обраний товар
BAT54WS_C438012.pdf
BAT54WS
Виробник: Jingdao
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOD-323
Зворотня напруга, Vrrm: 30 V
Прямий струм (per leg), If: 0,2 A
Падіння напруги, Vf: 1 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 13 A
у наявності: 2686 шт
814 шт - склад
958 шт - РАДІОМАГ-Київ
914 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
14+1.50 грн
16+1.25 грн
100+1.10 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF
Код товару: 23070
5 Додати до обраних Обраний товар
description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності: 1181 шт
1034 шт - склад
78 шт - РАДІОМАГ-Київ
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.