Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR2905TRPBF
IRLR2905TRPBF

IRLR2905TRPBF

irlr2905pbf-datashet.pdf
Код товару: 86018
3 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,027 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1048 шт
  • 822 шт - склад
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 67 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 59 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+24.50 грн
10+21.80 грн
100+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2905TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:36A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):40mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:110W

Можливі заміни IRLR2905TRPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Код товару: 181683
1 Додати до обраних Обраний товар
Китай irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 35 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,025 Ом
Монтаж: SMD
у наявності: 2036 шт
  • 2021 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF
Код товару: 181683
1 Додати до обраних Обраний товар
description irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
IRLR2905TRPBF
Виробник: Китай
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 35 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,025 Ом
Монтаж: SMD
у наявності: 2036 шт
  • 2021 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRLR2905TRPBF за ціною від 21.41 грн до 122.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 description Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 13987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.17 грн
6000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.37 грн
4000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.37 грн
4000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.81 грн
4000+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.04 грн
4000+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 description Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 13987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.57 грн
10+64.69 грн
50+48.25 грн
100+40.30 грн
500+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.47 грн
10+83.01 грн
50+63.48 грн
100+54.59 грн
500+41.64 грн
2000+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+120.47 грн
170+83.01 грн
222+63.48 грн
249+54.59 грн
500+41.64 грн
2000+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 693 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.80 грн
10+50.26 грн
20+47.21 грн
40+44.34 грн
50+43.58 грн
100+41.13 грн
200+38.77 грн
500+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRLR2905-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 8648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 9805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 9805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF International Rectifier/Infineon irlr2905pbf.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 13987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.17 грн
6000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
362+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+39.37 грн
4000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+39.37 грн
4000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+39.81 грн
4000+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+40.04 грн
4000+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 13987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.57 грн
10+64.69 грн
50+48.25 грн
100+40.30 грн
500+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+120.47 грн
10+83.01 грн
50+63.48 грн
100+54.59 грн
500+41.64 грн
2000+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
117+120.47 грн
170+83.01 грн
222+63.48 грн
249+54.59 грн
500+41.64 грн
2000+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 693 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+122.80 грн
10+50.26 грн
20+47.21 грн
40+44.34 грн
50+43.58 грн
100+41.13 грн
200+38.77 грн
500+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description Infineon-IRLR2905-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 8648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 9805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 9805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 5 В, Rds = 27 мОм @ 25 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

220 Ohm 5% 0,25W вив. (CF1/4W-220R)
Код товару: 92206
1 Додати до обраних Обраний товар
cf_resistor-datasheet.pdf
220 Ohm 5% 0,25W вив. (CF1/4W-220R)
Виробник: SR PASSIVES
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 220 Ом
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 6x2,3 mm; Dвив=0,4 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 16593 шт
  • 16267 шт - склад
  • 118 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 208 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano)
Код товару: 13787
6 Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 11799 шт
  • 8819 шт - склад
  • 290 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 980 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1050 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 660 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 40000 шт
  • 40000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG – Samsung)
Код товару: 60674
2 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
1uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG – Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 1 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
100+1.50 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54WS
Код товару: 194283
Додати до обраних Обраний товар
BAT54WS_C438012.pdf
BAT54WS
Виробник: Jingdao
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOD-323
Зворотна напруга Vrrm, В: 30 В
Прямий струм (per leg) If, А: 0,2 А
Падіння напруги Vf, В: 1 В
Монтаж: SMD
Імпульсний струм Ifsm, А: 13 А
у наявності: 268 шт
  • 268 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 6000 шт
  • 6000 шт - очікується 20.09.2026
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
16+1.25 грн
100+1.10 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF
Код товару: 23070
6 Додати до обраних Обраний товар
description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,175 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності: 786 шт
  • 678 шт - склад
  • 49 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 39 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.