Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR2905TRPBF
IRLR2905TRPBF

IRLR2905TRPBF

irlr2905pbf-datashet.pdf
Код товару: 86018
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 42 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1143 шт
  • 886 шт - склад
  • 122 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 70 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 65 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+24.50 грн
10+21.80 грн
100+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2905TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:36A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):40mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:110W

Можливі заміни IRLR2905TRPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Код товару: 181683
1 Додати до обраних Обраний товар
Китай irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 35 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 2036 шт
  • 2021 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF
Код товару: 181683
1 Додати до обраних Обраний товар
description irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
IRLR2905TRPBF
Виробник: Китай
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 35 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 2036 шт
  • 2021 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRLR2905TRPBF за ціною від 33.71 грн до 130.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.94 грн
4000+42.36 грн
6000+41.93 грн
10000+40.04 грн
14000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.04 грн
4000+42.46 грн
6000+42.03 грн
10000+40.13 грн
14000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 8515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.28 грн
500+50.12 грн
1000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
496+71.42 грн
551+64.29 грн
1000+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.93 грн
10+49.90 грн
20+46.88 грн
40+44.03 грн
50+43.27 грн
100+40.84 грн
200+38.49 грн
500+35.73 грн
1000+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.40 грн
10+80.05 грн
100+61.17 грн
500+50.29 грн
1000+44.40 грн
2000+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.40 грн
177+80.05 грн
232+61.17 грн
500+50.29 грн
1000+44.40 грн
2000+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 8515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.87 грн
50+86.97 грн
100+68.28 грн
500+50.12 грн
1000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRLR2905-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 10583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
362+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+43.94 грн
4000+42.36 грн
6000+41.93 грн
10000+40.04 грн
14000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+44.04 грн
4000+42.46 грн
6000+42.03 грн
10000+40.13 грн
14000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 8515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+68.28 грн
500+50.12 грн
1000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
496+71.42 грн
551+64.29 грн
1000+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.93 грн
10+49.90 грн
20+46.88 грн
40+44.03 грн
50+43.27 грн
100+40.84 грн
200+38.49 грн
500+35.73 грн
1000+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+130.40 грн
10+80.05 грн
100+61.17 грн
500+50.29 грн
1000+44.40 грн
2000+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
109+130.40 грн
177+80.05 грн
232+61.17 грн
500+50.29 грн
1000+44.40 грн
2000+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description INFN-S-A0012905427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 8515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+130.87 грн
50+86.97 грн
100+68.28 грн
500+50.12 грн
1000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description Infineon-IRLR2905-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 10583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

220 Ohm 5% 0,25W вив. (CF1/4W-220R)
Код товару: 92206
1 Додати до обраних Обраний товар
cf_resistor-datasheet.pdf
220 Ohm 5% 0,25W вив. (CF1/4W-220R)
Виробник: SR PASSIVES
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 220 Ohm
Точність: ±5%
Рном, W: 0,25 W
Uроб, V: 250 V
Габарити: 6x2,3 mm; Dвив=0,4 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 17448 шт
  • 16872 шт - склад
  • 168 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 408 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano)
Код товару: 13787
6 Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5%
Рном, W: 0,25 W
Uроб, V: 250 V
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 23086 шт
  • 17806 шт - склад
  • 1540 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1560 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2180 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 40000 шт
  • 40000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG – Samsung)
Код товару: 60674
2 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
1uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG – Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 1 µF
Номін. напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 931 шт
  • 230 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 701 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54WS
Код товару: 194283
Додати до обраних Обраний товар
BAT54WS_C438012.pdf
BAT54WS
Виробник: Jingdao
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOD-323
Зворотня напруга Vrrm, V: 30 V
Прямий струм (per leg) If, A: 0,2 A
Падіння напруги Vf, V: 1 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм Ifsm, A: 13 A
у наявності: 2512 шт
  • 640 шт - склад
  • 958 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 914 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
16+1.25 грн
100+1.10 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF
Код товару: 23070
5 Додати до обраних Обраний товар
description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Id, A: 11 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності: 1091 шт
  • 954 шт - склад
  • 72 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 39 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.