Продукція > IR > IRLR2905PBF

IRLR2905PBF

irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Виробник: IR
Транзистор TO-252-3 MOSFET N-канал, 55В, 36A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.96 грн
11+25.36 грн
100+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2905PBF IR

Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Можливі заміни IRLR2905PBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Код товару: 86018
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irlr2905pbf-datashet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 396 шт
235 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
35 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
90 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+24.50 грн
10+21.80 грн
100+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRLR2905PBF за ціною від 16.00 грн до 18.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR2905PBF IRLR2905PBF
Код товару: 102405
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irlr2905pbf-936696-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905PBF IRLR2905PBF Виробник : International Rectifier HiRel Products infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905PBF IRLR2905PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905PBF IRLR2905PBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905PBF IRLR2905PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR2905_DataSheet_v01_01_EN-1228485.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.