Продукція > INFINEON > IRLR2905TRLPBF

IRLR2905TRLPBF INFINEON


140822.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+63.56 грн
50+50.57 грн
100+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2905TRLPBF INFINEON

Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRLR2905TRLPBF за ціною від 59.76 грн до 83.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+83.76 грн
500+75.38 грн
1000+69.52 грн
10000+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+83.76 грн
500+75.38 грн
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+83.76 грн
500+75.38 грн
1000+69.52 грн
10000+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF INFINEON 140822.pdf Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
423+83.76 грн
500+75.38 грн
1000+69.52 грн
10000+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
423+83.76 грн
500+75.38 грн
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
423+83.76 грн
500+75.38 грн
1000+69.52 грн
10000+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF 140822.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.