Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR2905ZTRPBF
IRLR2905ZTRPBF

IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR2905ZTRPBF за ціною від 23.06 грн до 111.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+30.01 грн
4000+26.75 грн
6000+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+30.61 грн
4000+28.89 грн
10000+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.73 грн
4000+30.89 грн
10000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.84 грн
500+39.94 грн
1000+33.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
257+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 257
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2905ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.89 грн
10+49.62 грн
20+44.62 грн
50+38.71 грн
100+34.86 грн
500+28.13 грн
1000+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2905ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.67 грн
10+61.83 грн
20+53.54 грн
50+46.45 грн
100+41.83 грн
500+33.76 грн
1000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+95.39 грн
50+66.77 грн
100+48.84 грн
500+39.94 грн
1000+33.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+99.80 грн
11+69.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR2905Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 9441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.23 грн
10+71.26 грн
100+42.36 грн
500+34.09 грн
1000+31.18 грн
2000+27.71 грн
4000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 9546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.57 грн
10+67.99 грн
100+45.28 грн
500+33.37 грн
1000+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
668+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 668
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
668+47.22 грн
1000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 668
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c MOSFET N-CH 55V 43A DPAK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.