Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR2905ZTRPBF
IRLR2905ZTRPBF

IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR2905ZTRPBF за ціною від 21.49 грн до 99.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+27.19 грн
1000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+28.98 грн
4000+25.85 грн
6000+25.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+29.27 грн
1000+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
358+34.00 грн
407+29.94 грн
425+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 358
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
290+41.98 грн
291+41.95 грн
334+36.51 грн
340+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+45.21 грн
16+38.98 грн
25+38.95 грн
100+32.69 грн
250+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.46 грн
50+58.12 грн
100+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF11ACA61E3B5EA&compId=IRLR2905ZTRPBF.pdf?ci_sign=59e8f0844430a9591a8928366ede90beebafec1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.15 грн
10+50.38 грн
25+45.18 грн
36+25.76 грн
97+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 7983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.15 грн
10+55.81 грн
100+42.03 грн
500+32.24 грн
1000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR2905Z_DataSheet_v01_01_EN-3363699.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 20107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.76 грн
10+62.96 грн
25+54.38 грн
100+41.17 грн
250+41.03 грн
500+32.07 грн
1000+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF11ACA61E3B5EA&compId=IRLR2905ZTRPBF.pdf?ci_sign=59e8f0844430a9591a8928366ede90beebafec1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+99.78 грн
10+62.78 грн
25+54.22 грн
36+30.92 грн
97+29.17 грн
2000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.