Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR2905ZTRPBF

IRLR2905ZTRPBF

irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
Код товару: 216860
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLR2905ZTRPBF за ціною від 24.05 грн до 142.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.20 грн
4000+25.10 грн
6000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.87 грн
500+40.84 грн
1000+34.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.26 грн
16+50.11 грн
25+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2905ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.37 грн
6+76.69 грн
10+67.04 грн
50+46.22 грн
100+39.62 грн
500+29.46 грн
1000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 8291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.85 грн
10+62.62 грн
100+41.54 грн
500+30.51 грн
1000+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.51 грн
50+71.13 грн
100+55.87 грн
500+40.84 грн
1000+34.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR2905Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 11511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.76 грн
10+86.54 грн
100+49.79 грн
500+39.10 грн
1000+33.40 грн
2000+30.24 грн
4000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF International Rectifier HiRel Products irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
743+47.55 грн
1000+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 743 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF International Rectifier HiRel Products irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
743+47.55 грн
Мінімальне замовлення: 743 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF Infineon irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c MOSFET N-CH 55V 43A DPAK Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
IRLR2905ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+28.20 грн
4000+25.10 грн
6000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF irlr2905zpbf.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF irlr2905zpbf.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF INFN-S-A0012905690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2905ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+55.87 грн
500+40.84 грн
1000+34.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF irlr2905zpbf.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+57.26 грн
16+50.11 грн
25+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+99.37 грн
6+76.69 грн
10+67.04 грн
50+46.22 грн
100+39.62 грн
500+29.46 грн
1000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
IRLR2905ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 8291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+102.85 грн
10+62.62 грн
100+41.54 грн
500+30.51 грн
1000+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF INFN-S-A0012905690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2905ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+116.51 грн
50+71.13 грн
100+55.87 грн
500+40.84 грн
1000+34.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF Infineon_IRLR2905Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 11511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+142.76 грн
10+86.54 грн
100+49.79 грн
500+39.10 грн
1000+33.40 грн
2000+30.24 грн
4000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF irlr2905zpbf.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
743+47.55 грн
1000+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 743 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
743+47.55 грн
Мінімальне замовлення: 743 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
Виробник: Infineon
MOSFET N-CH 55V 43A DPAK Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
5+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.