Інші пропозиції IRLR2905ZTRPBF за ціною від 22.50 грн до 109.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR2905ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR2905ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR2905ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR2905ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR2905ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR2905ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 43A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 1774 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR2905ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V |
на замовлення 8291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR2905ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC |
на замовлення 11654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR2905ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR2905ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR2905ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRLR2905ZTRPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLR2905ZTRPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLR2905ZTRPBF | Виробник : Infineon |
MOSFET N-CH 55V 43A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLR2905ZTRPBF | Виробник : International Rectifier |
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IRLR2905ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |