Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR2905ZTRPBF
IRLR2905ZTRPBF

IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLR2905ZTRPBF за ціною від 23.37 грн до 113.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+27.63 грн
4000+24.63 грн
6000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.27 грн
4000+29.91 грн
10000+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+35.50 грн
4000+31.91 грн
10000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.98 грн
500+36.73 грн
1000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
248+52.77 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+56.66 грн
16+48.78 грн
26+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2905ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+85.93 грн
10+58.68 грн
50+43.06 грн
100+37.98 грн
500+29.01 грн
1000+25.93 грн
2000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF
Код товару: 216860
Додати до обраних Обраний товар

irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR2905Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 5812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.26 грн
10+57.25 грн
100+38.67 грн
500+30.38 грн
1000+27.76 грн
2000+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2905ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.12 грн
10+73.13 грн
50+51.67 грн
100+45.58 грн
500+34.81 грн
1000+31.12 грн
2000+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 9119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.42 грн
10+68.90 грн
100+45.87 грн
500+33.80 грн
1000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
668+48.98 грн
1000+45.17 грн
Мінімальне замовлення: 668
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
668+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 668
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - MOSFET, N-KANAL, 55V, 42A, TO-252AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.56 грн
50+71.62 грн
100+48.98 грн
500+36.73 грн
1000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c MOSFET N-CH 55V 43A DPAK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.