Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR2908TRPBF
IRLR2908TRPBF

IRLR2908TRPBF Infineon Technologies

irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+35.62 грн
4000+31.87 грн
6000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2908TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR2908TRPBF за ціною від 28.71 грн до 143.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2908-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+43.66 грн
4000+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2908-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+46.04 грн
1000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2908-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2908-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+54.70 грн
230+53.12 грн
267+45.72 грн
352+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2908-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+56.44 грн
1000+51.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2908-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+58.82 грн
12+50.79 грн
25+49.46 грн
100+40.93 грн
250+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.03 грн
500+45.66 грн
1000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2908-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
191+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681 Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 11674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.10 грн
10+77.33 грн
100+52.60 грн
500+39.32 грн
1000+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR2908_DataSheet_v01_01_EN-3363445.pdf MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 28mOhms 22nC
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.38 грн
10+85.12 грн
100+50.94 грн
500+42.89 грн
1000+38.24 грн
2000+34.83 грн
4000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.27 грн
50+87.10 грн
100+62.03 грн
500+45.66 грн
1000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681 MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2908-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr2908pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2908-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2908-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr2908pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.