Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR2908TRPBF

IRLR2908TRPBF

irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681
Код товару: 211866
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 80 В
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLR2908TRPBF за ціною від 28.88 грн до 133.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681 Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.33 грн
4000+34.29 грн
6000+32.96 грн
10000+29.52 грн
14000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.23 грн
4000+49.44 грн
6000+47.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.23 грн
4000+49.44 грн
6000+47.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.29 грн
4000+50.44 грн
6000+48.48 грн
10000+44.62 грн
14000+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.57 грн
4000+50.69 грн
6000+48.71 грн
10000+44.85 грн
14000+40.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+58.76 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.89 грн
100+82.04 грн
500+64.94 грн
1000+57.32 грн
2000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+121.89 грн
172+82.04 грн
500+64.94 грн
1000+57.32 грн
2000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681 Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 16578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.93 грн
10+82.13 грн
100+55.25 грн
500+41.04 грн
1000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR2908_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 28mOhms 22nC
на замовлення 27329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681
IRLR2908TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+38.33 грн
4000+34.29 грн
6000+32.96 грн
10000+29.52 грн
14000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf
IRLR2908TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+44.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf
IRLR2908TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+53.23 грн
4000+49.44 грн
6000+47.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf
IRLR2908TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+53.23 грн
4000+49.44 грн
6000+47.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf
IRLR2908TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+54.29 грн
4000+50.44 грн
6000+48.48 грн
10000+44.62 грн
14000+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf
IRLR2908TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+54.57 грн
4000+50.69 грн
6000+48.71 грн
10000+44.85 грн
14000+40.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf
IRLR2908TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
350+58.76 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf
IRLR2908TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+121.89 грн
100+82.04 грн
500+64.94 грн
1000+57.32 грн
2000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf
IRLR2908TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
116+121.89 грн
172+82.04 грн
500+64.94 грн
1000+57.32 грн
2000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681
IRLR2908TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 16578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.93 грн
10+82.13 грн
100+55.25 грн
500+41.04 грн
1000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF Infineon_IRLR2908_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR2908TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 28mOhms 22nC
на замовлення 27329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2908TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2908TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Батарейка CR2025 літієва 3V 1шт. Renata
Код товару: 124102
Додати до обраних Обраний товар
Батарейка CR2025 літієва 3V 1шт. Renata
Виробник: Renata
Батарейки
Матеріал: літієва
Розмір: CR2025
Напруга, В: 3 В
Форма: Таблетка
у наявності: 27 шт
  • 10 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+40.00 грн
10+36.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMA-вилка на кабель (EM-SA001-RG58-NGT)
Код товару: 73838
5 Додати до обраних Обраний товар
SMA-вилка на кабель (EM-SA001-RG58-NGT)
Виробник: Emico
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > ВЧ роз'єми та перехідники
Тип, серія: SMA
Опис: SMA-вилка на кабель, під обтиск, RG-58
Вид: Роз’єм
Монтаж механічний: на кабель
Тип кабелю: RG-58
Роз’єм: Вилка
Орієнтація: Прямий
товару немає в наявності
очікується: 12000 шт
  • 12000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+52.00 грн
10+47.00 грн
100+42.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSPBF
Код товару: 62471
Додати до обраних Обраний товар
description irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 23 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 117 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1450/73
Монтаж: SMD
у наявності: 60 шт
  • 60 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+44.00 грн
10+41.60 грн
100+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4,7uF 50V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR4R7M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 11561
2 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
4,7uF 50V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR4R7M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 3867 шт
  • 3608 шт - склад
  • 96 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 163 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
15+1.40 грн
100+1.10 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3,3uF 50V ECR 5x11mm (ECR3R3M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3120
Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
3,3uF 50V ECR 5x11mm (ECR3R3M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 3,3 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 8359 шт
  • 6948 шт - склад
  • 300 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 356 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 321 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 434 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
19+1.10 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.