IRLR2908TRPBF


irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681
Код товару: 211866
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-252/D-Pak
Uds,V: 80 V
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLR2908TRPBF за ціною від 28.93 грн до 176.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681 Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.37 грн
4000+34.33 грн
6000+32.99 грн
10000+29.56 грн
14000+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.32 грн
500+55.43 грн
1000+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681 Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 16787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.00 грн
10+82.24 грн
100+55.30 грн
500+41.08 грн
1000+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR2908_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 28mOhms 22nC
на замовлення 29402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.95 грн
10+95.64 грн
100+56.17 грн
500+45.53 грн
1000+40.81 грн
2000+38.13 грн
4000+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Infineon Technologies irlr2908pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+162.24 грн
140+101.17 грн
178+79.48 грн
500+62.12 грн
1000+53.04 грн
2000+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.79 грн
50+113.48 грн
100+75.32 грн
500+55.43 грн
1000+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+38.37 грн
4000+34.33 грн
6000+32.99 грн
10000+29.56 грн
14000+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+51.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
350+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+75.32 грн
500+55.43 грн
1000+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 16787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+134.00 грн
10+82.24 грн
100+55.30 грн
500+41.08 грн
1000+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF Infineon_IRLR2908_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 28mOhms 22nC
на замовлення 29402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+152.95 грн
10+95.64 грн
100+56.17 грн
500+45.53 грн
1000+40.81 грн
2000+38.13 грн
4000+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
88+162.24 грн
140+101.17 грн
178+79.48 грн
500+62.12 грн
1000+53.04 грн
2000+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+176.79 грн
50+113.48 грн
100+75.32 грн
500+55.43 грн
1000+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Батарейка CR2025 літієва 3V 1шт. Renata
Код товару: 124102
Додати до обраних Обраний товар
Виробник: Renata
Батарейки
Матеріал: літієва
Розмір: CR2025
Напруга, V: 3 V
Форма: Таблетка
у наявності: 30 шт
  • 10 шт - склад
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+40.00 грн
10+36.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMA-вилка на кабель (EM-SA001-RG58-NGT)
Код товару: 73838
5 Додати до обраних Обраний товар
Виробник: Emico
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > ВЧ роз'єми та перехідники
Тип, серія: SMA
Опис: SMA-вилка на кабель, під обтиск, RG-58
Вид: Роз’єм
Монтаж механ.: на кабель
Тип кабеля: RG-58
Роз’єм: Вилка
Орієнтація: Прямий
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+52.00 грн
10+47.00 грн
100+42.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSPBF
Код товару: 62471
Додати до обраних Обраний товар
description irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 117 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1450/73
Монтаж: SMD
у наявності: 80 шт
  • 80 шт - склад
КількістьЦіна
1+44.00 грн
10+41.60 грн
100+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4,7uF 50V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR4R7M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 11561
2 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 4040 шт
  • 3685 шт - склад
  • 120 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 213 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
10+2.00 грн
15+1.40 грн
100+1.10 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3,3uF 50V ECR 5x11mm (ECR3R3M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3120
Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 3,3 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 8359 шт
  • 6948 шт - склад
  • 300 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 356 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 321 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 434 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
14+1.50 грн
19+1.10 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.