Інші пропозиції IRLR2908TRPBF за ціною від 28.93 грн до 176.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR2908TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR2908TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR2908TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR2908TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR2908TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR2908TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR2908TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V |
на замовлення 16787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR2908TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 28mOhms 22nC |
на замовлення 29402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR2908TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR2908TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRLR2908TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 38.37 грн |
| 4000+ | 34.33 грн |
| 6000+ | 32.99 грн |
| 10000+ | 29.56 грн |
| 14000+ | 28.93 грн |
| IRLR2908TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 45.20 грн |
| IRLR2908TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 51.37 грн |
| IRLR2908TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 51.72 грн |
| IRLR2908TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 350+ | 59.16 грн |
| IRLR2908TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 75.32 грн |
| 500+ | 55.43 грн |
| 1000+ | 46.80 грн |
| IRLR2908TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 16787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.00 грн |
| 10+ | 82.24 грн |
| 100+ | 55.30 грн |
| 500+ | 41.08 грн |
| 1000+ | 37.60 грн |
| IRLR2908TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 28mOhms 22nC
MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 28mOhms 22nC
на замовлення 29402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.95 грн |
| 10+ | 95.64 грн |
| 100+ | 56.17 грн |
| 500+ | 45.53 грн |
| 1000+ | 40.81 грн |
| 2000+ | 38.13 грн |
| 4000+ | 36.23 грн |
| IRLR2908TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 88+ | 162.24 грн |
| 140+ | 101.17 грн |
| 178+ | 79.48 грн |
| 500+ | 62.12 грн |
| 1000+ | 53.04 грн |
| 2000+ | 44.05 грн |
| IRLR2908TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 176.79 грн |
| 50+ | 113.48 грн |
| 100+ | 75.32 грн |
| 500+ | 55.43 грн |
| 1000+ | 46.80 грн |
З цим товаром купують
| Батарейка CR2025 літієва 3V 1шт. Renata Код товару: 124102
Додати до обраних
Обраний товар
|
у наявності: 30 шт
- 10 шт - склад
- 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 36.80 грн |
| SMA-вилка на кабель (EM-SA001-RG58-NGT) Код товару: 73838
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Emico
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > ВЧ роз'єми та перехідники
Тип, серія: SMA
Опис: SMA-вилка на кабель, під обтиск, RG-58
Вид: Роз’єм
Монтаж механ.: на кабель
Тип кабеля: RG-58
Роз’єм: Вилка
Орієнтація: Прямий
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > ВЧ роз'єми та перехідники
Тип, серія: SMA
Опис: SMA-вилка на кабель, під обтиск, RG-58
Вид: Роз’єм
Монтаж механ.: на кабель
Тип кабеля: RG-58
Роз’єм: Вилка
Орієнтація: Прямий
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 52.00 грн |
| 10+ | 47.00 грн |
| 100+ | 42.50 грн |
| IRF9540NSPBF Код товару: 62471
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 117 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1450/73
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 117 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1450/73
Монтаж: SMD
у наявності: 80 шт
- 80 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 44.00 грн |
| 10+ | 41.60 грн |
| 100+ | 39.00 грн |
| 4,7uF 50V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR4R7M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 11561
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 4040 шт
- 3685 шт - склад
- 120 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 213 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 15+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| 3,3uF 50V ECR 5x11mm (ECR3R3M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3120
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 3,3 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 3,3 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 8359 шт
- 6948 шт - склад
- 300 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 356 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 321 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 434 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |












