Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR2908TRPBF

IRLR2908TRPBF Infineon Technologies

Name: IRLR2908TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1928350-3
Price: 70420.00 UAH
Availability: InStock

irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	35.21 грн
4000+	31.50 грн
6000+	31.20 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLR2908TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR2908TRPBF за ціною від 29.84 грн до 140.73 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 58000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	45.23 грн
4000+	41.68 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 58000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	48.95 грн
4000+	45.10 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	51.00 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	55.05 грн
1000+	50.85 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	59.38 грн
500+	46.92 грн
1000+	39.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	59.58 грн
1000+	55.03 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
146+	89.14 грн
150+	87.01 грн
205+	63.47 грн
250+	59.52 грн
500+	36.10 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRLR2908_DataSheet_v01_01_EN.pdf

MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 28mOhms 22nC

на замовлення 10953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	110.56 грн
10+	72.90 грн
100+	44.72 грн
500+	38.12 грн
1000+	35.17 грн
2000+	31.17 грн
4000+	29.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	124.49 грн
50+	83.54 грн
100+	59.38 грн
500+	46.92 грн
1000+	39.94 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V

на замовлення 9200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	127.15 грн
10+	77.80 грн
100+	52.31 грн
500+	38.86 грн
1000+	35.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4027 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	130.81 грн
148+	88.36 грн
200+	86.63 грн
500+	59.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	140.73 грн
10+	95.51 грн
25+	93.23 грн
100+	65.57 грн
250+	59.05 грн
500+	37.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF
Код товару: 211866

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Uds,V: 80 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.