IRLR2908TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 10953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.87 грн |
| 10+ | 82.33 грн |
| 100+ | 50.50 грн |
| 500+ | 43.05 грн |
| 1000+ | 39.72 грн |
| 2000+ | 35.20 грн |
| 4000+ | 33.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR2908TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRLR2908TRPBF за ціною від 33.88 грн до 138.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR2908TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR2908TRPBF Код товару: 211866
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-252/D-Pak Uds,V: 80 V |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
IRLR2908TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR2908TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 58000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR2908TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 58000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR2908TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR2908TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR2908TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLR2908TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR2908TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR2908TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR2908TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR2908TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V |
на замовлення 9200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR2908TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRLR2908TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRLR2908TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |