Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR2908TRPBF

IRLR2908TRPBF Infineon Technologies

Name: IRLR2908TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 38418214-5
Price: 12661.12 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
146+	86.72 грн
150+	84.65 грн
205+	61.74 грн
250+	57.90 грн
500+	35.12 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLR2908TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR2908TRPBF за ціною від 33.94 грн до 139.08 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	136.91 грн
10+	92.92 грн
25+	90.70 грн
100+	63.79 грн
250+	57.45 грн
500+	36.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF
Код товару: 211866

Додати до обраних Обраний товар

irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Uds,V: 80 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	38.51 грн
4000+	34.46 грн
6000+	34.13 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 58000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	44.00 грн
4000+	40.55 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 58000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	47.62 грн
4000+	43.88 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	49.62 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	53.56 грн
1000+	49.47 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	57.96 грн
1000+	53.54 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	64.95 грн
500+	51.32 грн
1000+	43.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRLR2908_DataSheet_v01_01_EN.pdf

MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 28mOhms 22nC

на замовлення 10953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	125.78 грн
10+	82.93 грн
100+	50.87 грн
500+	43.36 грн
1000+	40.01 грн
2000+	35.46 грн
4000+	33.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4027 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	127.26 грн
148+	85.97 грн
200+	84.28 грн
500+	58.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	136.17 грн
50+	91.38 грн
100+	64.95 грн
500+	51.32 грн
1000+	43.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V

на замовлення 9200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	139.08 грн
10+	85.10 грн
100+	57.22 грн
500+	42.51 грн
1000+	39.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.