Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR2908TRPBF

IRLR2908TRPBF Infineon Technologies

Name: IRLR2908TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 38418214-5
Price: 12396.86 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
146+	84.91 грн
150+	82.88 грн
205+	60.45 грн
250+	56.69 грн
500+	34.38 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLR2908TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR2908TRPBF за ціною від 32.84 грн до 134.57 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	134.05 грн
10+	90.97 грн
25+	88.80 грн
100+	62.46 грн
250+	56.24 грн
500+	35.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF
Код товару: 211866

Додати до обраних Обраний товар

irlr2908pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cdace2681

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Uds,V: 80 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	37.26 грн
4000+	33.34 грн
6000+	33.02 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 58000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	43.08 грн
4000+	39.70 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 58000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	46.63 грн
4000+	42.96 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	48.58 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	52.44 грн
1000+	48.44 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	56.75 грн
1000+	52.42 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	62.84 грн
500+	49.66 грн
1000+	42.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRLR2908_DataSheet_v01_01_EN.pdf

MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 28mOhms 22nC

на замовлення 10953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	121.69 грн
10+	80.24 грн
100+	49.22 грн
500+	41.96 грн
1000+	38.71 грн
2000+	34.31 грн
4000+	32.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4027 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	124.60 грн
148+	84.17 грн
200+	82.52 грн
500+	57.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	131.75 грн
50+	88.41 грн
100+	62.84 грн
500+	49.66 грн
1000+	42.27 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V

на замовлення 9200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	134.57 грн
10+	82.34 грн
100+	55.37 грн
500+	41.13 грн
1000+	37.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLR2908TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.