Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR3103PBF

IRLR3103PBF

Код товару: 85570

Виробник: IR
Корпус: TO-252/D-Pak
Uds,V: 30 V
Idd,A: 55A
Rds(on), Ohm: 0,019 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/50
Монтаж: SMD

товар відсутній

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLR3103PBF IR

MOSFET, N, 30V, 46A, D-PAK
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:N
Typ Voltage Vds:30V
Cont Current Id:45A
On State Resistance:0.019ohm
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Typ Voltage Vgs th:1V
Case Style:DPAK
Termination Type:SMD
Alternate Case Style:D-PAK
Current Temperature:25`C
Full Power Rating Temperature:25`C
Junction to Case Thermal Resistance A:1.8`C/W
Max Voltage Vds:30V
Max Voltage Vgs th:2V
Min Voltage Vgs th:1V
No. of Transistors:1
On State resistance @ Vgs = 10V:0.019ohm
Power Dissipation:69W
Power Dissipation Pd:69W
Pulse Current Idm:69A
SMD Marking:IRLR3103
Transistor Case Style:D-PAK

Інші пропозиції IRLR3103PBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
IRLR3103PBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube	товар відсутній
IRLR3103PBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V	товар відсутній
IRLR3103PBF	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC	товар відсутній
IRLR3103PBF	Виробник : Infineon (IRF)	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 46A Power dissipation: 69W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level	товар відсутній