Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3105TRPBF
IRLR3105TRPBF

IRLR3105TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3105TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR3105TRPBF за ціною від 24.11 грн до 96.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687 Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+47.62 грн
14+45.07 грн
100+38.88 грн
500+31.44 грн
1000+27.66 грн
2000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
252+48.54 грн
292+41.87 грн
500+35.11 грн
1000+32.17 грн
2000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 252
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+49.49 грн
25+49.03 грн
100+46.82 грн
250+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.18 грн
500+36.78 грн
1000+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
229+53.29 грн
232+52.80 грн
234+52.29 грн
250+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
526+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 526
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
526+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 526
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
185+66.05 грн
233+52.46 грн
264+46.36 грн
500+39.37 грн
1000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687 Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 4066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.64 грн
10+58.55 грн
100+43.77 грн
500+33.45 грн
1000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.13 грн
13+67.10 грн
100+50.18 грн
500+36.78 грн
1000+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3105_DataSheet_v01_01_EN-3363513.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
на замовлення 24804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.13 грн
10+72.93 грн
100+44.51 грн
500+36.78 грн
1000+35.46 грн
2000+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.