Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3105TRPBF
IRLR3105TRPBF

IRLR3105TRPBF Infineon Technologies

infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3105TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 57W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm.

Інші пропозиції IRLR3105TRPBF за ціною від 31.43 грн до 159.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687 Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.76 грн
76000+47.30 грн
114000+44.01 грн
152000+40.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+92.54 грн
222+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.32 грн
100+65.47 грн
500+51.99 грн
1000+46.14 грн
2000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.32 грн
215+65.47 грн
500+51.99 грн
1000+46.14 грн
2000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687 Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.93 грн
10+75.98 грн
100+50.90 грн
500+37.68 грн
1000+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.84 грн
10+92.54 грн
100+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3105_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
на замовлення 12694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
447+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+45.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+45.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+51.76 грн
76000+47.30 грн
114000+44.01 грн
152000+40.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
152+92.54 грн
222+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+95.32 грн
100+65.47 грн
500+51.99 грн
1000+46.14 грн
2000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
148+95.32 грн
215+65.47 грн
500+51.99 грн
1000+46.14 грн
2000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.93 грн
10+75.98 грн
100+50.90 грн
500+37.68 грн
1000+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+159.84 грн
10+92.54 грн
100+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF Infineon_IRLR3105_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
на замовлення 12694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF INFN-S-A0012905115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF INFN-S-A0012905115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.