Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3105TRPBF

IRLR3105TRPBF Infineon Technologies

Name: IRLR3105TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 17953404-5
Price: 13955.34 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 9800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
447+	31.22 грн

Мінімальне замовлення: 447

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLR3105TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLR3105TRPBF за ціною від 28.86 грн до 155.77 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRLR3105TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 9800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
23+	32.57 грн
24+	31.62 грн
100+	31.22 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

IRLR3105TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687

Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	34.22 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3105TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	36.24 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3105TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	36.58 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3105TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	44.75 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3105TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	44.75 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3105TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 152000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	51.41 грн
76000+	46.98 грн
114000+	43.71 грн
152000+	39.76 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3105TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
245+	57.16 грн
247+	56.59 грн

Мінімальне замовлення: 245

В кошику од. на суму грн.

IRLR3105TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	62.15 грн
500+	45.88 грн
1000+	39.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRLR3105TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	69.95 грн
14+	57.16 грн
25+	56.59 грн
100+	46.00 грн
250+	32.19 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IRLR3105TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC

на замовлення 12734 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	121.70 грн
10+	77.01 грн
100+	44.02 грн
500+	35.54 грн
1000+	32.27 грн
2000+	29.83 грн
4000+	28.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRLR3105TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V

на замовлення 3008 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	122.04 грн
10+	74.13 грн
100+	49.68 грн
500+	36.76 грн
1000+	33.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRLR3105TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
103+	135.57 грн
163+	85.95 грн
227+	61.56 грн
500+	48.07 грн
1000+	41.21 грн
2000+	33.92 грн

Мінімальне замовлення: 103

В кошику од. на суму грн.

IRLR3105TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	155.77 грн
10+	90.87 грн
100+	62.15 грн
500+	45.88 грн
1000+	39.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IRLR3105TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.