Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3105TRPBF
IRLR3105TRPBF

IRLR3105TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3105TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR3105TRPBF за ціною від 24.05 грн до 95.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687 Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
309+39.44 грн
326+37.41 грн
500+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+47.51 грн
14+44.96 грн
100+38.78 грн
500+31.37 грн
1000+27.60 грн
2000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
252+48.42 грн
292+41.76 грн
500+35.03 грн
1000+32.10 грн
2000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 252
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+49.37 грн
25+48.91 грн
100+46.71 грн
250+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.06 грн
500+36.70 грн
1000+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
584+52.16 грн
1000+48.10 грн
10000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 584
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
584+52.16 грн
1000+48.10 грн
Мінімальне замовлення: 584
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
229+53.17 грн
232+52.67 грн
234+52.17 грн
250+49.83 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687 Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 4066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.48 грн
10+58.41 грн
100+43.67 грн
500+33.37 грн
1000+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.93 грн
13+66.93 грн
100+50.06 грн
500+36.70 грн
1000+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3105_DataSheet_v01_01_EN-3363513.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
на замовлення 24804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.90 грн
10+72.75 грн
100+44.40 грн
500+36.70 грн
1000+35.37 грн
2000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.