Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3105TRPBF
IRLR3105TRPBF

IRLR3105TRPBF Infineon Technologies

irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3105TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 57W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm.

Інші пропозиції IRLR3105TRPBF за ціною від 34.75 грн до 138.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+58.49 грн
245+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.69 грн
13+58.49 грн
25+57.90 грн
100+47.01 грн
250+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687 Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.04 грн
10+76.66 грн
100+51.36 грн
500+38.02 грн
1000+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.92 грн
10+88.11 грн
100+63.13 грн
500+49.30 грн
1000+42.26 грн
2000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+138.92 грн
161+88.11 грн
225+63.13 грн
500+49.30 грн
1000+42.26 грн
2000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3105_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
на замовлення 12692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+39.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+39.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
243+58.49 грн
245+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+71.69 грн
13+58.49 грн
25+57.90 грн
100+47.01 грн
250+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.04 грн
10+76.66 грн
100+51.36 грн
500+38.02 грн
1000+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+138.92 грн
10+88.11 грн
100+63.13 грн
500+49.30 грн
1000+42.26 грн
2000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
103+138.92 грн
161+88.11 грн
225+63.13 грн
500+49.30 грн
1000+42.26 грн
2000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF Infineon_IRLR3105_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
на замовлення 12692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF INFN-S-A0012905115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF INFN-S-A0012905115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.