IRLR3105TRPBF Infineon Technologies


infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3105TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLR3105TRPBF за ціною від 31.64 грн до 157.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687 Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+57.93 грн
247+57.36 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF INFINEON irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687 Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.99 грн
500+46.50 грн
1000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.90 грн
14+57.93 грн
25+57.36 грн
100+46.63 грн
250+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687 Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.70 грн
10+75.13 грн
100+50.35 грн
500+37.26 грн
1000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.25 грн
164+86.44 грн
228+62.15 грн
500+48.63 грн
1000+41.71 грн
2000+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3105_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
на замовлення 12694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.12 грн
10+93.21 грн
100+53.85 грн
500+42.64 грн
1000+37.92 грн
2000+34.68 грн
4000+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF INFINEON irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687 Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.88 грн
10+92.10 грн
100+62.99 грн
500+46.50 грн
1000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
447+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
245+57.93 грн
247+57.36 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+62.99 грн
500+46.50 грн
1000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+70.90 грн
14+57.93 грн
25+57.36 грн
100+46.63 грн
250+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+123.70 грн
10+75.13 грн
100+50.35 грн
500+37.26 грн
1000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
105+135.25 грн
164+86.44 грн
228+62.15 грн
500+48.63 грн
1000+41.71 грн
2000+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF Infineon_IRLR3105_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
на замовлення 12694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+152.12 грн
10+93.21 грн
100+53.85 грн
500+42.64 грн
1000+37.92 грн
2000+34.68 грн
4000+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+157.88 грн
10+92.10 грн
100+62.99 грн
500+46.50 грн
1000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.