Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3105TRPBF
IRLR3105TRPBF

IRLR3105TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3105TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR3105TRPBF за ціною від 26.84 грн до 65.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
350+34.90 грн
367+33.30 грн
500+29.61 грн
2000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
343+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 343
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
331+36.95 грн
333+36.68 грн
336+36.40 грн
338+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 331
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+37.40 грн
100+35.68 грн
500+30.59 грн
2000+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+39.59 грн
25+39.30 грн
100+37.61 грн
250+34.56 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.81 грн
500+35.78 грн
1000+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
583+52.41 грн
1000+48.32 грн
10000+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 583
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
583+52.41 грн
1000+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 583
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.26 грн
15+56.99 грн
100+49.81 грн
500+35.78 грн
1000+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687 Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.26 грн
10+50.46 грн
100+43.38 грн
500+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRLR3105-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
на замовлення 17911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.76 грн
10+53.60 грн
100+40.75 грн
500+31.15 грн
1000+31.00 грн
2000+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687 Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227ED532A6AAF1A303005056AB0C4F&compId=irlr3105pbf.pdf?ci_sign=27e86e922a975b9332692ad13636276895f80f4c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227ED532A6AAF1A303005056AB0C4F&compId=irlr3105pbf.pdf?ci_sign=27e86e922a975b9332692ad13636276895f80f4c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.