Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3110ZTRLPBF
IRLR3110ZTRLPBF

IRLR3110ZTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3110ZTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 140W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR3110ZTRLPBF за ціною від 32.00 грн до 181.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+54.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.42 грн
250+75.76 грн
1000+63.28 грн
3000+53.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
295+103.96 грн
500+93.56 грн
1000+86.29 грн
10000+74.18 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
295+103.96 грн
500+93.56 грн
1000+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+125.57 грн
138+88.87 грн
146+83.98 грн
200+70.21 грн
500+61.52 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.67 грн
50+91.42 грн
250+75.76 грн
1000+63.28 грн
3000+53.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3110Z_DataSheet_v01_01_EN-3363646.pdf MOSFETs MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
на замовлення 42064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.34 грн
10+93.72 грн
100+65.12 грн
500+59.39 грн
1000+56.90 грн
3000+56.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.21 грн
10+112.40 грн
100+77.06 грн
500+58.12 грн
1000+53.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF
Код товару: 156274
Додати до обраних Обраний товар

irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 250A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 250A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.