Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR3110ZTRLPBF

IRLR3110ZTRLPBF

irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a
Код товару: 156274
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLR3110ZTRLPBF за ціною від 51.59 грн до 218.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.84 грн
152+93.46 грн
250+89.72 грн
500+83.39 грн
1000+74.69 грн
2500+69.59 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 8083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.06 грн
250+87.16 грн
1000+61.24 грн
3000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.22 грн
500+108.20 грн
1000+99.79 грн
10000+85.79 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.22 грн
500+108.20 грн
1000+99.79 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3110Z_DataSheet_v01_01_EN-3363646.pdf MOSFETs MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
на замовлення 42064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.28 грн
10+87.54 грн
100+60.83 грн
500+55.47 грн
1000+53.14 грн
3000+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 8083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.68 грн
50+120.06 грн
250+87.16 грн
1000+61.24 грн
3000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+203.04 грн
102+138.71 грн
107+132.20 грн
113+121.61 грн
142+88.96 грн
250+80.84 грн
500+68.88 грн
1000+61.26 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.85 грн
10+135.99 грн
100+93.24 грн
500+70.33 грн
1000+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3110ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
145+97.84 грн
152+93.46 грн
250+89.72 грн
500+83.39 грн
1000+74.69 грн
2500+69.59 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3110ZTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 8083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+120.06 грн
250+87.16 грн
1000+61.24 грн
3000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3110ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
295+120.22 грн
500+108.20 грн
1000+99.79 грн
10000+85.79 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3110ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
295+120.22 грн
500+108.20 грн
1000+99.79 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF Infineon_IRLR3110Z_DataSheet_v01_01_EN-3363646.pdf
IRLR3110ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
на замовлення 42064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+128.28 грн
10+87.54 грн
100+60.83 грн
500+55.47 грн
1000+53.14 грн
3000+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3110ZTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 8083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+172.68 грн
50+120.06 грн
250+87.16 грн
1000+61.24 грн
3000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3110ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
70+203.04 грн
102+138.71 грн
107+132.20 грн
113+121.61 грн
142+88.96 грн
250+80.84 грн
500+68.88 грн
1000+61.26 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a
IRLR3110ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+218.85 грн
10+135.99 грн
100+93.24 грн
500+70.33 грн
1000+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.