IRLR3110ZTRPBF

IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies


infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 162000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR3110ZTRPBF за ціною від 38.34 грн до 162.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.56 грн
4000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.34 грн
4000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+50.18 грн
4000+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+54.30 грн
4000+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+61.27 грн
1000+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+66.31 грн
1000+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
171+74.60 грн
190+66.89 грн
206+61.76 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+82.75 грн
11+72.40 грн
25+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
142+89.59 грн
149+85.59 грн
250+82.16 грн
500+76.36 грн
1000+68.40 грн
2500+63.72 грн
5000+62.01 грн
10000+60.49 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+103.17 грн
250+72.04 грн
1000+47.98 грн
3000+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3110Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC
на замовлення 8495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.07 грн
10+103.94 грн
25+88.01 грн
100+61.29 грн
500+48.84 грн
1000+46.30 грн
2000+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.53 грн
50+103.17 грн
250+72.04 грн
1000+47.98 грн
3000+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 27192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.09 грн
10+92.17 грн
100+62.35 грн
500+46.53 грн
1000+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+162.96 грн
82+156.75 грн
100+151.44 грн
250+141.59 грн
500+127.54 грн
1000+119.45 грн
2500+116.81 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a IRLR3110ZTRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.34 грн
21+57.18 грн
57+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.