Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3110ZTRPBF

IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

Name: IRLR3110ZTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 17953400-5
Price: 71580.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 162000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	35.79 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR3110ZTRPBF за ціною від 38.35 грн до 160.70 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 162000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	39.01 грн
4000+	38.35 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	41.32 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a

Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	42.75 грн
4000+	38.72 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	49.48 грн
4000+	46.57 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	53.54 грн
4000+	50.40 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	60.42 грн
1000+	46.57 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	65.39 грн
1000+	50.40 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
171+	73.56 грн
190+	65.96 грн
206+	60.90 грн

Мінімальне замовлення: 171

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	81.61 грн
11+	71.40 грн
25+	44.92 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

на замовлення 3670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	87.71 грн
10+	62.71 грн
25+	53.75 грн
50+	47.24 грн
100+	43.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
142+	88.35 грн
149+	84.40 грн
250+	81.02 грн
500+	75.30 грн
1000+	67.45 грн
2500+	62.84 грн
5000+	61.15 грн
10000+	59.65 грн

Мінімальне замовлення: 142

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : INFINEON

IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 20131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	101.74 грн
250+	71.04 грн
1000+	47.32 грн
3000+	40.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

на замовлення 3670 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	105.25 грн
10+	78.15 грн
25+	64.50 грн
50+	56.68 грн
100+	51.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC

на замовлення 8495 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	145.03 грн
10+	102.50 грн
25+	86.78 грн
100+	60.44 грн
500+	48.16 грн
1000+	45.66 грн
2000+	42.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 20131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	146.47 грн
50+	101.74 грн
250+	71.04 грн
1000+	47.32 грн
3000+	40.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V

на замовлення 13657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	151.39 грн
10+	93.01 грн
100+	62.95 грн
500+	46.99 грн
1000+	44.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
78+	160.70 грн
82+	154.58 грн
100+	149.33 грн
250+	139.63 грн
500+	125.77 грн
1000+	117.79 грн
2500+	115.19 грн

Мінімальне замовлення: 78

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.