Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3110ZTRPBF
IRLR3110ZTRPBF

IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR3110ZTRPBF за ціною від 34.44 грн до 143.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 166000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 166000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+53.50 грн
1000+53.02 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+57.34 грн
1000+56.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
211+57.83 грн
218+56.12 грн
219+53.73 грн
1000+49.68 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
211+57.91 грн
212+57.64 грн
231+52.85 грн
250+48.10 грн
500+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+67.71 грн
12+53.78 грн
25+53.52 грн
100+47.32 грн
250+41.36 грн
500+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.08 грн
500+49.05 грн
1000+44.49 грн
5000+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
142+86.07 грн
149+82.22 грн
250+78.92 грн
500+73.35 грн
1000+65.70 грн
2500+61.21 грн
5000+59.57 грн
10000+58.11 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227EF45E9F51F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3110zpbf.pdf?ci_sign=64c51a4fa3a43285754294102b2ac04ad31b2f21 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.84 грн
10+95.03 грн
16+58.24 грн
43+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 10757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.35 грн
10+85.22 грн
100+60.54 грн
500+46.27 грн
1000+45.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+137.91 грн
92+132.66 грн
100+128.16 грн
250+119.83 грн
500+107.94 грн
1000+101.09 грн
2500+98.86 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.65 грн
10+97.38 грн
100+69.08 грн
500+49.05 грн
1000+44.49 грн
5000+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227EF45E9F51F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3110zpbf.pdf?ci_sign=64c51a4fa3a43285754294102b2ac04ad31b2f21 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 953 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.61 грн
10+118.42 грн
16+69.89 грн
43+66.21 грн
2000+65.29 грн
10000+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3110Z_DataSheet_v01_01_EN-3363646.pdf MOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC
на замовлення 6653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.34 грн
10+99.83 грн
100+62.83 грн
500+50.39 грн
1000+48.56 грн
2000+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF Виробник : International Rectifier irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a N-MOSFET HEXFET 100V 42A 140W 0.014Ω IRLR3110Z TIRLR3110z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+59.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.