Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3110ZTRPBF

IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

Name: IRLR3110ZTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1928415-3
Price: 77980.00 UAH
Availability: InStock

irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	38.99 грн
4000+	35.31 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLR3110ZTRPBF за ціною від 37.91 грн до 166.73 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 106000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	39.38 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 106000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	42.20 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	45.74 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	49.03 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	62.02 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	66.48 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
164+	79.70 грн
187+	69.65 грн

Мінімальне замовлення: 164

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	85.58 грн
10+	74.80 грн
25+	46.39 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
142+	91.67 грн
149+	87.57 грн
250+	84.06 грн
500+	78.12 грн
1000+	69.98 грн
2500+	65.20 грн
5000+	63.44 грн
10000+	61.89 грн

Мінімальне замовлення: 142

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

на замовлення 2451 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	99.19 грн
10+	72.16 грн
25+	63.97 грн
50+	57.97 грн
100+	52.81 грн
125+	51.29 грн
500+	44.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : INFINEON

IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 17020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	104.83 грн
250+	73.22 грн
1000+	51.33 грн
3000+	44.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC

на замовлення 6340 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	128.58 грн
10+	92.03 грн
100+	54.05 грн
500+	42.96 грн
1000+	40.72 грн
2000+	37.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V

на замовлення 27162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	138.21 грн
10+	84.87 грн
100+	57.41 грн
500+	42.85 грн
1000+	40.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
78+	166.73 грн
82+	160.38 грн
100+	154.94 грн
250+	144.87 грн
500+	130.50 грн
1000+	122.21 грн
2500+	119.52 грн

Мінімальне замовлення: 78

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRLR3110ZTRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - MOSFET, N-KANAL, 100V, 42A, TO-252AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 17020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	150.70 грн
50+	104.83 грн
250+	73.22 грн
1000+	51.33 грн
3000+	44.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.