Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3110ZTRPBF
IRLR3110ZTRPBF

IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLR3110ZTRPBF за ціною від 32.83 грн до 154.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.61 грн
4000+38.20 грн
6000+36.76 грн
10000+32.98 грн
14000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+81.50 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+85.35 грн
10+75.92 грн
25+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
142+91.25 грн
149+87.17 грн
250+83.68 грн
500+77.77 грн
1000+69.66 грн
2500+64.90 грн
5000+63.16 грн
10000+61.61 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+103.14 грн
250+72.04 грн
1000+50.51 грн
3000+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+119.98 грн
5+97.61 грн
10+87.80 грн
50+63.85 грн
100+55.54 грн
125+53.21 грн
250+46.97 грн
500+43.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3110Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC
на замовлення 22907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.82 грн
10+88.17 грн
100+56.84 грн
500+45.24 грн
1000+41.51 грн
2000+38.33 грн
4000+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 21682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.08 грн
10+89.94 грн
100+60.86 грн
500+45.42 грн
1000+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
86+150.76 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
84+154.02 грн
88+148.15 грн
100+143.12 грн
250+133.83 грн
500+120.54 грн
1000+112.89 грн
2500+110.40 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon Infineon-IRLR3110Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 42 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3980 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 38 А, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 140, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим:
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
8+86.49 грн
10+80.71 грн
100+69.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - MOSFET, N-KANAL, 100V, 42A, TO-252AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.27 грн
50+103.14 грн
250+72.04 грн
1000+50.51 грн
3000+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF Виробник : International Rectifier irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.