Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3110ZTRPBF
IRLR3110ZTRPBF

IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+48.90 грн
4000+43.92 грн
6000+42.31 грн
10000+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.

Інші пропозиції IRLR3110ZTRPBF за ціною від 41.09 грн до 171.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.34 грн
4000+49.83 грн
6000+49.13 грн
10000+44.67 грн
14000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.34 грн
4000+49.83 грн
6000+49.13 грн
10000+44.67 грн
14000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+57.18 грн
4000+56.60 грн
6000+55.80 грн
10000+50.73 грн
14000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+57.50 грн
4000+56.92 грн
6000+56.11 грн
10000+51.03 грн
14000+46.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.10 грн
10+77.47 грн
25+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.04 грн
5+102.81 грн
10+90.71 грн
50+65.33 грн
100+57.21 грн
250+49.00 грн
500+44.44 грн
1000+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.10 грн
10+122.27 грн
100+85.67 грн
500+65.13 грн
1000+56.73 грн
2000+51.41 грн
4000+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.10 грн
116+122.27 грн
166+85.67 грн
500+65.13 грн
1000+56.73 грн
2000+51.41 грн
4000+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 13607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.06 грн
10+101.93 грн
100+69.29 грн
500+51.94 грн
1000+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+168.40 грн
88+161.98 грн
100+156.48 грн
250+146.32 грн
500+131.80 грн
1000+123.43 грн
2500+120.70 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+171.87 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3110Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC
на замовлення 16045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 20033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 20033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF International Rectifier/Infineon Infineon-IRLR3110Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 42 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3980 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 38 А, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 140, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 320 Од. вим
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+70.76 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+50.34 грн
4000+49.83 грн
6000+49.13 грн
10000+44.67 грн
14000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+50.34 грн
4000+49.83 грн
6000+49.13 грн
10000+44.67 грн
14000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+57.18 грн
4000+56.60 грн
6000+55.80 грн
10000+50.73 грн
14000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+57.50 грн
4000+56.92 грн
6000+56.11 грн
10000+51.03 грн
14000+46.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+87.10 грн
10+77.47 грн
25+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF irlr3110zpbf.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+133.04 грн
5+102.81 грн
10+90.71 грн
50+65.33 грн
100+57.21 грн
250+49.00 грн
500+44.44 грн
1000+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+159.10 грн
10+122.27 грн
100+85.67 грн
500+65.13 грн
1000+56.73 грн
2000+51.41 грн
4000+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
89+159.10 грн
116+122.27 грн
166+85.67 грн
500+65.13 грн
1000+56.73 грн
2000+51.41 грн
4000+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 13607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.06 грн
10+101.93 грн
100+69.29 грн
500+51.94 грн
1000+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+168.40 грн
88+161.98 грн
100+156.48 грн
250+146.32 грн
500+131.80 грн
1000+123.43 грн
2500+120.70 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
83+171.87 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF Infineon_IRLR3110Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC
на замовлення 16045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 20033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 20033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF Infineon-IRLR3110Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 42 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3980 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 38 А, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 140, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 320 Од. вим
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+70.76 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.