Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3110ZTRPBF
IRLR3110ZTRPBF

IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 166000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR3110ZTRPBF за ціною від 34.07 грн до 146.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 166000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+57.54 грн
12+53.91 грн
25+49.74 грн
100+46.94 грн
250+41.51 грн
500+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
211+58.05 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.85 грн
500+50.31 грн
1000+45.64 грн
5000+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
142+86.27 грн
149+82.42 грн
250+79.11 грн
500+73.53 грн
1000+65.86 грн
2500+61.36 грн
5000+59.71 грн
10000+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227EF45E9F51F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3110zpbf.pdf?ci_sign=64c51a4fa3a43285754294102b2ac04ad31b2f21 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.90 грн
10+97.47 грн
16+59.74 грн
43+56.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 10757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.52 грн
10+87.41 грн
100+62.10 грн
500+47.46 грн
1000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+138.24 грн
92+132.98 грн
100+128.47 грн
250+120.12 грн
500+108.20 грн
1000+101.33 грн
2500+99.09 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+142.21 грн
10+99.89 грн
100+70.85 грн
500+50.31 грн
1000+45.64 грн
5000+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3110Z_DataSheet_v01_01_EN-3363646.pdf MOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC
на замовлення 6294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.62 грн
10+98.93 грн
25+85.27 грн
100+61.05 грн
500+48.97 грн
1000+46.48 грн
2000+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227EF45E9F51F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3110zpbf.pdf?ci_sign=64c51a4fa3a43285754294102b2ac04ad31b2f21 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 743 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.28 грн
10+121.46 грн
16+71.69 грн
43+67.91 грн
2000+66.97 грн
10000+65.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.