Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR3114ZTRPBF
IRLR3114ZTRPBF

IRLR3114ZTRPBF

irlr3114zpbf-938041-datasheet.pdf
Код товару: 122894
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 4,9 mOhm
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 80 шт
  • 30 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна
1+42.00 грн
10+38.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLR3114ZTRPBF за ціною від 28.05 грн до 156.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.33 грн
4000+33.38 грн
6000+32.08 грн
10000+28.73 грн
14000+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.08 грн
4000+51.45 грн
6000+50.94 грн
10000+48.62 грн
14000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.44 грн
4000+51.80 грн
6000+51.29 грн
10000+48.95 грн
14000+44.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+74.60 грн
528+67.13 грн
1000+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+74.60 грн
528+67.13 грн
1000+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+90.56 грн
209+67.94 грн
500+55.07 грн
1000+50.64 грн
2000+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.87 грн
250+66.56 грн
1000+45.99 грн
3000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.90 грн
10+90.56 грн
100+67.94 грн
500+53.11 грн
1000+46.89 грн
2000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.21 грн
250+121.93 грн
500+117.31 грн
1000+108.37 грн
3000+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.05 грн
10+122.76 грн
25+122.49 грн
100+117.84 грн
250+108.87 грн
500+104.28 грн
1000+104.04 грн
3000+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
на замовлення 18332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.19 грн
10+80.11 грн
100+53.86 грн
500+39.99 грн
1000+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.60 грн
50+92.87 грн
250+66.56 грн
1000+45.99 грн
3000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3114Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
на замовлення 5826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.45 грн
10+92.35 грн
100+54.47 грн
500+44.13 грн
1000+39.59 грн
2000+37.01 грн
4000+35.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.63 грн
130+109.13 грн
184+77.25 грн
500+58.51 грн
1000+51.33 грн
2000+41.68 грн
4000+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+37.33 грн
4000+33.38 грн
6000+32.08 грн
10000+28.73 грн
14000+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+52.08 грн
4000+51.45 грн
6000+50.94 грн
10000+48.62 грн
14000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+52.44 грн
4000+51.80 грн
6000+51.29 грн
10000+48.95 грн
14000+44.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
476+74.60 грн
528+67.13 грн
1000+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
476+74.60 грн
528+67.13 грн
1000+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
157+90.56 грн
209+67.94 грн
500+55.07 грн
1000+50.64 грн
2000+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+92.87 грн
250+66.56 грн
1000+45.99 грн
3000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+119.90 грн
10+90.56 грн
100+67.94 грн
500+53.11 грн
1000+46.89 грн
2000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
116+122.21 грн
250+121.93 грн
500+117.31 грн
1000+108.37 грн
3000+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+123.05 грн
10+122.76 грн
25+122.49 грн
100+117.84 грн
250+108.87 грн
500+104.28 грн
1000+104.04 грн
3000+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
на замовлення 18332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+131.19 грн
10+80.11 грн
100+53.86 грн
500+39.99 грн
1000+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+133.60 грн
50+92.87 грн
250+66.56 грн
1000+45.99 грн
3000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF Infineon_IRLR3114Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
на замовлення 5826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+147.45 грн
10+92.35 грн
100+54.47 грн
500+44.13 грн
1000+39.59 грн
2000+37.01 грн
4000+35.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
91+156.63 грн
130+109.13 грн
184+77.25 грн
500+58.51 грн
1000+51.33 грн
2000+41.68 грн
4000+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Клемник 15EDGK-3.5-06P-14-00Z(H)
Код товару: 19770
2 Додати до обраних Обраний товар
15edgk.pdf
Клемник 15EDGK-3.5-06P-14-00Z(H)
Виробник: Degson
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Прямий клемник, крок: 3,5мм, к-сть контактів: 06P, напруга/струм: 300V/8A, під провід: 28-16AWG 1,5мм.кв
Крок, мм: 3,5 mm
К-сть контактів: 6
Тип роз’єму: Клемник роз’ємного типу
Номінальний струм: 8 А
у наявності: 2571 шт
  • 2274 шт - склад
  • 68 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 210 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 2000 шт
  • 2000 шт - очікується
КількістьЦіна
1+21.00 грн
10+18.50 грн
100+16.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
9,31 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (резистор SMD)
Код товару: 4241
1 Додати до обраних Обраний товар
9,31 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 9,31 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 18400 шт
  • 18400 шт - склад
КількістьЦіна
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
11 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-11K-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 4102
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
11 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-11K-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 11 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 949 шт
  • 936 шт - склад
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 20000 шт
  • 20000 шт - очікується
КількістьЦіна
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1,5 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1K5R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 3703
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
1,5 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1K5R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1,5 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 11754 шт
  • 2450 шт - склад
  • 4404 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4900 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 20000 шт
  • 20000 шт - очікується
КількістьЦіна
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBF
Код товару: 2560
2 Додати до обраних Обраний товар
irfr5305pbf.pdf
IRFR5305PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 623 шт
  • 459 шт - склад
  • 54 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 32 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 65 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.