IRLR3114ZTRPBF
Код товару: 122894
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 4,9 mOhm
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLR3114ZTRPBF за ціною від 28.07 грн до 133.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 15530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC |
на замовлення 6066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V |
на замовлення 18332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 15530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 130A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| Клемник 15EDGK-3.5-06P-14-00Z(H) Код товару: 19770
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Degson
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Прямий клемник, крок: 3,5мм, к-сть контактів: 06P, напруга/струм: 300V/8A, під провід: 28-16AWG 1,5мм.кв
Крок, мм: 3,5 mm
К-сть контактів: 6
Тип роз’єму: Клемник роз’ємного типу
Номінальний струм: 8 А
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Прямий клемник, крок: 3,5мм, к-сть контактів: 06P, напруга/струм: 300V/8A, під провід: 28-16AWG 1,5мм.кв
Крок, мм: 3,5 mm
К-сть контактів: 6
Тип роз’єму: Клемник роз’ємного типу
Номінальний струм: 8 А
у наявності: 1067 шт
929 шт - склад
68 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
68 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
4000 шт
2000 шт - очікується 29.05.2026
2000 шт - очікується
2000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 21.00 грн |
| 10+ | 18.50 грн |
| 100+ | 16.80 грн |
| 9,31 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (резистор SMD) Код товару: 4241
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 9,31 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 9,31 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 18500 шт
18500 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 11 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-11K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4102
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 11 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 11 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 3749 шт
3736 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
20000 шт
20000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 1,5 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1K5R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3703
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1,5 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 1,5 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 14954 шт
5550 шт - склад
4504 шт - РАДІОМАГ-Київ
4900 шт - РАДІОМАГ-Львів
4504 шт - РАДІОМАГ-Київ
4900 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| IRFR5305PBF Код товару: 2560
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 1081 шт
904 шт - склад
64 шт - РАДІОМАГ-Київ
32 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Харків
68 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
64 шт - РАДІОМАГ-Київ
32 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Харків
68 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 44.00 грн |
| 10+ | 39.60 грн |
| 100+ | 35.70 грн |







