IRLR3114ZTRPBF
Код товару: 122894
Виробник: IRUds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 4,9 mOhm
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 49 шт:
49 шт - склад
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 42 грн |
10+ | 38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLR3114ZTRPBF за ціною від 28.68 грн до 95.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm |
на замовлення 19399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm |
на замовлення 19399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC |
на замовлення 11203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V |
на замовлення 15186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon | Транзистор МОП TO-252AA (DPAK) 40V 1 N-CH HEXFET 4,9mOhms 42А; 140W (Tc) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 130A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 130A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRFU4104 Код товару: 99521 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2950/59
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2950/59
Монтаж: THT
у наявності: 3 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 33 грн |
10 kOhm 1% 0,25W вив. (MFR025FTB-10KR – Hitano) Код товару: 169934 |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Тип: метало-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Тип: метало-плівкові
очікується:
30000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.8 грн |
100+ | 0.68 грн |
1000+ | 0.55 грн |
150pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N151J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 3934 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 150 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 150 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0603
у наявності: 11708 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.5 грн |
100+ | 0.35 грн |
1000+ | 0.3 грн |
47 Ohm 5% 1W вив. (CR100SJTB-47R-Hitano) Код товару: 3462 |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 47 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 1 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 9x3 mm; Dвив = 0,64 mm
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°C
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 47 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 1 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 9x3 mm; Dвив = 0,64 mm
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°C
у наявності: 1394 шт
очікується:
2000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 1.6 грн |
100+ | 1.4 грн |
1000+ | 1.2 грн |
470uF 25V ECR 8x14mm (ECR471M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2955 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 8х14mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 8х14mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 5543 шт
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2.6 грн |
100+ | 2.25 грн |
1000+ | 1.8 грн |