Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR3114ZTRPBF
IRLR3114ZTRPBF

IRLR3114ZTRPBF

irlr3114zpbf-938041-datasheet.pdf
Код товару: 122894
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,9 мОм
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+42.00 грн
10+38.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLR3114ZTRPBF за ціною від 28.31 грн до 184.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr3114z-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.37 грн
6000+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+60.17 грн
1000+55.48 грн
Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+60.17 грн
1000+55.48 грн
10000+49.46 грн
Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3114zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.21 грн
8+53.97 грн
10+49.85 грн
32+29.96 грн
87+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.86 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+87.86 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+118.41 грн
180+79.38 грн
500+62.81 грн
1000+55.45 грн
2000+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr3114z-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
на замовлення 19926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.87 грн
10+74.57 грн
50+55.96 грн
100+46.88 грн
500+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineon_irlr3114z_datasheet_en.pdf MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
на замовлення 4967 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+127.98 грн
10+62.15 грн
100+48.19 грн
500+37.96 грн
1000+36.27 грн
2000+31.59 грн
4000+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+150.51 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.72 грн
10+118.41 грн
100+79.38 грн
500+60.57 грн
1000+51.34 грн
2000+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineon-irlr3114z-datasheet-en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+34.37 грн
6000+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+48.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+48.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
592+60.17 грн
1000+55.48 грн
Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
592+60.17 грн
1000+55.48 грн
10000+49.46 грн
Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF irlr3114zpbf.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.21 грн
8+53.97 грн
10+49.85 грн
32+29.96 грн
87+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+87.86 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+87.86 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
121+118.41 грн
180+79.38 грн
500+62.81 грн
1000+55.45 грн
2000+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineon-irlr3114z-datasheet-en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
на замовлення 19926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.87 грн
10+74.57 грн
50+55.96 грн
100+46.88 грн
500+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineon_irlr3114z_datasheet_en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
на замовлення 4967 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.98 грн
10+62.15 грн
100+48.19 грн
500+37.96 грн
1000+36.27 грн
2000+31.59 грн
4000+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+150.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+150.51 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+184.72 грн
10+118.41 грн
100+79.38 грн
500+60.57 грн
1000+51.34 грн
2000+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Код товару: 82544
6 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 126674 шт
  • 103083 шт - склад
  • 11801 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7690 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 5000 шт
  • 5000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Код товару: 60735
3 Додати до обраних Обраний товар
yageo-datasheet-cap.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 52324 шт
  • 47097 шт - склад
  • 644 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1110 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3278 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 195 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 200000 шт
  • 200000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.20 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
10000+0.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TXS0108EPWR
Код товару: 108588
4 Додати до обраних Обраний товар
txs0108e
TXS0108EPWR
Виробник: TI
Мікросхеми > Логіка
Корпус: TSSOP-20
Опис: 8-біт двонапрямлений, Level-з перетворенням рівня, перетворювач рівня напруги
Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
Живлення, В: 1,65...5,5 В
Температура, °С: -40...+85°С
у наявності: 78 шт
  • 54 шт - склад
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 18 шт
  • 18 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+57.50 грн
10+51.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
L-KLS1-XM1-3.00-2X04-S Micro-Fit
Код товару: 205427
1 Додати до обраних Обраний товар
kls1-xm1-3_00.pdf
L-KLS1-XM1-3.00-2X04-S Micro-FitL-KLS1-XM1-3.00-2X04-S Micro-Fit
L-KLS1-XM1-3.00-2X04-S Micro-FitL-KLS1-XM1-3.00-2X04-S Micro-Fit
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Mini-Fit та Micro-Fit
Опис: розетка на плату "мама", 2 ряди на 4 контакти. Напруга / Струм: 250V / 5A,
Тип роз'єма: Micro-Fit
Монтаж: плата
Роз'єм: розетка
К-сть контактів: 8
Крок контактів: 3 мм
у наявності: 4170 шт
  • 3860 шт - склад
  • 52 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 96 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 62 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
3+7.00 грн
10+6.30 грн
100+5.80 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B103K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 1208
1 Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
10nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B103K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 10 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
товару немає в наявності
очікується: 12000 шт
  • 12000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.