IRLR3114ZTRPBF
Код товару: 122894
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,9 мОм
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLR3114ZTRPBF за ціною від 29.47 грн до 149.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V |
на замовлення 20480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC |
на замовлення 5177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRLR3114ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 34.38 грн |
| 6000+ | 29.47 грн |
| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 46.14 грн |
| 6000+ | 40.04 грн |
| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 46.14 грн |
| 6000+ | 40.04 грн |
| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 47.53 грн |
| 6000+ | 42.40 грн |
| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 47.63 грн |
| 6000+ | 42.50 грн |
| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 592+ | 59.64 грн |
| 1000+ | 54.99 грн |
| 10000+ | 49.03 грн |
| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 592+ | 59.64 грн |
| 1000+ | 54.99 грн |
| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 201+ | 70.46 грн |
| 236+ | 59.99 грн |
| 257+ | 54.94 грн |
| 500+ | 45.06 грн |
| 2000+ | 36.62 грн |
| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 87.08 грн |
| 11+ | 70.46 грн |
| 50+ | 59.99 грн |
| 100+ | 52.98 грн |
| 500+ | 41.72 грн |
| 2000+ | 35.15 грн |
| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 159+ | 88.87 грн |
| 160+ | 88.69 грн |
| 250+ | 88.50 грн |
| 500+ | 85.17 грн |
| 1000+ | 78.69 грн |
| 3000+ | 75.39 грн |
| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 89.23 грн |
| 10+ | 89.06 грн |
| 25+ | 88.87 грн |
| 100+ | 85.52 грн |
| 250+ | 79.02 грн |
| 500+ | 75.70 грн |
| 1000+ | 75.54 грн |
| 3000+ | 75.39 грн |
| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
на замовлення 20480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.84 грн |
| 10+ | 74.59 грн |
| 50+ | 55.98 грн |
| 100+ | 46.88 грн |
| 500+ | 36.95 грн |
| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 149.78 грн |
| 10+ | 102.17 грн |
| 50+ | 79.17 грн |
| 100+ | 67.01 грн |
| 500+ | 49.42 грн |
| 2000+ | 41.66 грн |
| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 149.78 грн |
| 139+ | 102.17 грн |
| 179+ | 79.17 грн |
| 204+ | 67.01 грн |
| 500+ | 49.42 грн |
| 2000+ | 41.66 грн |
| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
на замовлення 5177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Код товару: 82544
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 167024 шт
- 141583 шт - склад
- 12751 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 8190 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 31256 шт
- 25267 шт - склад
- 884 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1200 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 3560 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 345 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 250000 шт
- 50000 шт - очікується 20.09.2026
- 200000 шт - очікується 01.11.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 10000+ | 0.55 грн |
| TXS0108EPWR Код товару: 108588
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Логіка
Корпус: TSSOP-20
Опис: 8-біт двонапрямлений, Level-з перетворенням рівня, перетворювач рівня напруги
Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
Живлення, В: 1,65...5,5 В
Температура, °С: -40...+85°С
Мікросхеми > Логіка
Корпус: TSSOP-20
Опис: 8-біт двонапрямлений, Level-з перетворенням рівня, перетворювач рівня напруги
Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
Живлення, В: 1,65...5,5 В
Температура, °С: -40...+85°С
у наявності: 79 шт
- 55 шт - склад
- 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 18 шт
- 18 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 57.50 грн |
| 10+ | 51.80 грн |
| L-KLS1-XM1-3.00-2X04-S Micro-Fit Код товару: 205427
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Mini-Fit та Micro-Fit
Опис: розетка на плату "мама", 2 ряди на 4 контакти. Напруга / Струм: 250V / 5A,
Тип роз'єма: Micro-Fit
Монтаж: плата
Роз'єм: розетка
К-сть контактів: 8
Крок контактів: 3 мм
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Mini-Fit та Micro-Fit
Опис: розетка на плату "мама", 2 ряди на 4 контакти. Напруга / Струм: 250V / 5A,
Тип роз'єма: Micro-Fit
Монтаж: плата
Роз'єм: розетка
К-сть контактів: 8
Крок контактів: 3 мм
у наявності: 4498 шт
- 4180 шт - склад
- 52 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 96 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 70 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.30 грн |
| 100+ | 5.80 грн |
| 1000+ | 5.38 грн |
| 10nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B103K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 1208
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 10 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 10 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 5177 шт
- 1519 шт - склад
- 3658 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |











