Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR3114ZTRPBF
IRLR3114ZTRPBF

IRLR3114ZTRPBF

irlr3114zpbf-938041-datasheet.pdf
Код товару: 122894
Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 4,9 mOhm
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 100 шт:
50 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+42.00 грн
10+38.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLR3114ZTRPBF за ціною від 14.87 грн до 132.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
649+19.12 грн
660+18.83 грн
670+18.53 грн
681+17.59 грн
692+16.02 грн
1000+15.12 грн
3000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 649
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3114z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+35.32 грн
35+20.49 грн
36+19.45 грн
100+17.72 грн
250+16.75 грн
500+16.48 грн
1000+16.20 грн
3000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.96 грн
4000+38.57 грн
6000+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.64 грн
4000+41.23 грн
6000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.26 грн
250+51.00 грн
1000+45.02 грн
3000+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
476+65.29 грн
528+58.76 грн
1000+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 476
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
476+65.29 грн
528+58.76 грн
1000+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 476
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3114Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
на замовлення 8075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.59 грн
10+46.14 грн
100+39.89 грн
1000+37.87 грн
2000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.49 грн
50+51.26 грн
250+51.00 грн
1000+45.02 грн
3000+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
на замовлення 3636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.37 грн
10+81.16 грн
100+54.56 грн
500+40.50 грн
1000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3114zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

10nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B103K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 3940
Додати до обраних Обраний товар

X7R_X5R.pdf
10nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B103K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 9202 шт
8000 шт - склад
850 шт - РАДІОМАГ-Київ
328 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
80+0.50 грн
120+0.35 грн
1000+0.25 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
150pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N151J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 3934
Додати до обраних Обраний товар

NPO.pdf
150pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N151J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 150 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0603
у наявності: 2330 шт
2330 шт - склад
очікується: 12000 шт
12000 шт - очікується 25.01.2026
Кількість Ціна
80+0.50 грн
120+0.35 грн
1000+0.30 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
47 Ohm 5% 1W вив. (CR100SJTB-47R-Hitano)
Код товару: 3462
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
47 Ohm 5% 1W вив. (CR100SJTB-47R-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 47 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 1 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 9x3 mm; Dвив = 0,64 mm
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°C
у наявності: 1270 шт
640 шт - склад
260 шт - РАДІОМАГ-Київ
40 шт - РАДІОМАГ-Львів
140 шт - РАДІОМАГ-Харків
190 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
30+1.60 грн
100+1.20 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
LD1117S33CTR
Код товару: 2052
Додати до обраних Обраний товар

LD1117 series.pdf
LD1117S33CTR
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-223
Uin, V: 15 V
Uout,V: 3,3 V
Iout,A: 0,8 A
Udrop, V: 1,1 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40…150°C
у наявності: 1922 шт
1697 шт - склад
46 шт - РАДІОМАГ-Київ
69 шт - РАДІОМАГ-Львів
64 шт - РАДІОМАГ-Харків
46 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.00 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-25
Код товару: 2039
Додати до обраних Обраний товар

BC807_.pdf
BC807-25
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 80 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,5 A
h21,max: 400
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+4.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.60 грн
10000+0.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.