Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR3114ZTRPBF
IRLR3114ZTRPBF

IRLR3114ZTRPBF

irlr3114zpbf-938041-datasheet.pdf
Код товару: 122894
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,9 мОм
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 30 шт
  • 30 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+42.00 грн
10+38.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLR3114ZTRPBF за ціною від 36.31 грн до 149.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.63 грн
4000+44.22 грн
6000+42.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.63 грн
4000+44.22 грн
6000+42.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.84 грн
4000+45.29 грн
6000+43.49 грн
10000+39.97 грн
14000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.59 грн
4000+48.38 грн
6000+44.47 грн
10000+42.46 грн
14000+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+74.60 грн
528+67.13 грн
1000+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+74.60 грн
528+67.13 грн
1000+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+85.54 грн
224+63.30 грн
500+52.24 грн
1000+45.17 грн
2000+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.53 грн
10+85.54 грн
100+63.30 грн
500+50.37 грн
1000+41.82 грн
2000+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.79 грн
250+117.51 грн
500+113.05 грн
1000+104.43 грн
3000+100.01 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.63 грн
10+118.35 грн
25+118.07 грн
100+113.59 грн
250+104.92 грн
500+100.49 грн
1000+100.25 грн
3000+100.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.71 грн
10+75.01 грн
100+50.20 грн
500+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.34 грн
10+101.98 грн
100+71.35 грн
500+55.29 грн
1000+45.31 грн
2000+41.79 грн
4000+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.34 грн
139+101.98 грн
199+71.35 грн
500+55.29 грн
1000+45.31 грн
2000+41.79 грн
4000+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3114Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+47.63 грн
4000+44.22 грн
6000+42.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+47.63 грн
4000+44.22 грн
6000+42.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+48.84 грн
4000+45.29 грн
6000+43.49 грн
10000+39.97 грн
14000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+51.59 грн
4000+48.38 грн
6000+44.47 грн
10000+42.46 грн
14000+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
476+74.60 грн
528+67.13 грн
1000+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
476+74.60 грн
528+67.13 грн
1000+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
166+85.54 грн
224+63.30 грн
500+52.24 грн
1000+45.17 грн
2000+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+115.53 грн
10+85.54 грн
100+63.30 грн
500+50.37 грн
1000+41.82 грн
2000+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
121+117.79 грн
250+117.51 грн
500+113.05 грн
1000+104.43 грн
3000+100.01 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+118.63 грн
10+118.35 грн
25+118.07 грн
100+113.59 грн
250+104.92 грн
500+100.49 грн
1000+100.25 грн
3000+100.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.71 грн
10+75.01 грн
100+50.20 грн
500+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+149.34 грн
10+101.98 грн
100+71.35 грн
500+55.29 грн
1000+45.31 грн
2000+41.79 грн
4000+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF infineonirlr3114zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+149.34 грн
139+101.98 грн
199+71.35 грн
500+55.29 грн
1000+45.31 грн
2000+41.79 грн
4000+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF Infineon_IRLR3114Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Код товару: 82544
4 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 236781 шт
  • 208640 шт - склад
  • 13151 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9290 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 200 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5500 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Код товару: 60735
2 Додати до обраних Обраний товар
yageo-datasheet-cap.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 47830 шт
  • 41001 шт - склад
  • 1054 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1440 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3800 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 535 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.00 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
10000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B103K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 1208
Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
10nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B103K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 10 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 9377 шт
  • 5609 шт - склад
  • 3768 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.60 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
16pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N160J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 2266
Додати до обраних Обраний товар
NPO.pdf
16pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N160J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 16 пФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 3850 шт
  • 3850 шт - склад
на замовлення: 2 шт
  • 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.80 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 50V ECR 8x12mm (ECR101M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2980
1 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
100uF 50V ECR 8x12mm (ECR101M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 3142 шт
  • 3016 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 25 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 79 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
6+3.50 грн
10+2.80 грн
100+2.40 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.