
IRLR3114ZTRPBF

Код товару: 122894
Виробник: IRUds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 4,9 mOhm
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності 26 шт:
26 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 42.00 грн |
10+ | 38.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLR3114ZTRPBF за ціною від 26.93 грн до 87.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 18097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V |
на замовлення 14950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 18097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8782 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 130A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRLR3114ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 130A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
10nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B103K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 3940
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 14090 шт
9026 шт - склад
4000 шт - РАДІОМАГ-Київ
838 шт - РАДІОМАГ-Львів
155 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
69 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4000 шт - РАДІОМАГ-Київ
838 шт - РАДІОМАГ-Львів
155 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
69 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 0.50 грн |
100+ | 0.35 грн |
1000+ | 0.25 грн |
150pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N151J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 3934
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 150 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 150 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
очікується:
8000 шт
8000 шт - очікується 15.07.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 0.50 грн |
100+ | 0.35 грн |
1000+ | 0.30 грн |
47 Ohm 5% 1W вив. (CR100SJTB-47R-Hitano) Код товару: 3462
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 47 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 1 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 9x3 mm; Dвив = 0,64 mm
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°C
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 47 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 1 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 9x3 mm; Dвив = 0,64 mm
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°C
у наявності: 2289 шт
1495 шт - склад
280 шт - РАДІОМАГ-Київ
70 шт - РАДІОМАГ-Львів
160 шт - РАДІОМАГ-Харків
84 шт - РАДІОМАГ-Одеса
200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
280 шт - РАДІОМАГ-Київ
70 шт - РАДІОМАГ-Львів
160 шт - РАДІОМАГ-Харків
84 шт - РАДІОМАГ-Одеса
200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 1.60 грн |
100+ | 1.20 грн |
1000+ | 1.00 грн |
LD1117S33CTR Код товару: 2052
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-223
Uin, V: 15 V
Uout,V: 3,3 V
Iout,A: 0,8 A
Udrop, V: 1,1 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40…150°C
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-223
Uin, V: 15 V
Uout,V: 3,3 V
Iout,A: 0,8 A
Udrop, V: 1,1 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40…150°C
у наявності: 1313 шт
823 шт - склад
101 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Одеса
89 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
101 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Одеса
89 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 10.00 грн |
10+ | 9.00 грн |
100+ | 8.00 грн |
1000+ | 7.20 грн |
BC807-25 Код товару: 2039
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 80 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,5 A
h21,max: 400
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 80 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,5 A
h21,max: 400
у наявності: 18 шт
9 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 1.50 грн |
10+ | 1.10 грн |
100+ | 0.80 грн |
1000+ | 0.60 грн |
10000+ | 0.50 грн |