Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3410TRLPBF
IRLR3410TRLPBF

IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR3410TRLPBF за ціною від 19.65 грн до 112.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.18 грн
6000+28.11 грн
9000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.13 грн
6000+30.06 грн
9000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.87 грн
500+31.17 грн
1500+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
759+40.96 грн
1000+37.77 грн
10000+33.69 грн
Мінімальне замовлення: 759
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
260+47.95 грн
262+47.47 грн
330+37.70 грн
336+35.70 грн
500+30.77 грн
1000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
165+75.53 грн
260+47.84 грн
263+47.34 грн
500+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+81.16 грн
14+51.37 грн
25+50.86 грн
100+38.95 грн
250+35.42 грн
500+31.65 грн
1000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 33572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.26 грн
10+61.30 грн
100+40.68 грн
500+29.85 грн
1000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.42 грн
10+44.56 грн
100+30.31 грн
500+27.62 грн
1000+26.86 грн
3000+23.10 грн
6000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.76 грн
50+48.46 грн
100+37.87 грн
500+31.17 грн
1500+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF (транзистор) IRLR3410TRLPBF (транзистор)
Код товару: 89552
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irlr3410pbf-223115.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 0.105Ω
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.