Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR3410TRLPBF (транзистор)
IRLR3410TRLPBF (транзистор)

IRLR3410TRLPBF (транзистор)

irlr3410pbf-223115.pdf
Код товару: 89552
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLR3410TRLPBF (транзистор) за ціною від 26.09 грн до 125.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.01 грн
6000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF INFINEON irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.87 грн
500+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
759+46.69 грн
1000+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 759 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+54.50 грн
263+53.95 грн
330+43.02 грн
333+41.06 грн
500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 8446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.55 грн
10+61.12 грн
100+40.53 грн
500+29.74 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+109.02 грн
267+53.16 грн
333+42.61 грн
500+37.81 грн
1000+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF INFINEON irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.42 грн
50+67.13 грн
100+45.87 грн
500+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.63 грн
14+54.50 грн
25+53.95 грн
100+41.48 грн
250+38.02 грн
500+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+35.01 грн
6000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
IRLR3410TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+45.87 грн
500+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
759+46.69 грн
1000+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 759 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+48.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
261+54.50 грн
263+53.95 грн
330+43.02 грн
333+41.06 грн
500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 8446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+100.55 грн
10+61.12 грн
100+40.53 грн
500+29.74 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
131+109.02 грн
267+53.16 грн
333+42.61 грн
500+37.81 грн
1000+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
IRLR3410TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+112.42 грн
50+67.13 грн
100+45.87 грн
500+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+125.63 грн
14+54.50 грн
25+53.95 грн
100+41.48 грн
250+38.02 грн
500+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.