IRLR3410TRLPBF (транзистор)
Код товару: 89552
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLR3410TRLPBF (транзистор) за ціною від 25.63 грн до 123.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLR3410TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 14820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 8446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR3410TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IRLR3410TRLPBF | Виробник : International Rectifier |
TO252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
IRLR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IRLR3410TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 79W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 60A On-state resistance: 0.105Ω Gate-source voltage: ±16V |
товару немає в наявності |