IRLR3410TRLPBF (транзистор)
Код товару: 89552
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 800/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLR3410TRLPBF (транзистор) за ціною від 21.63 грн до 141.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 9820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLR3410TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRLR3410TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRLR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 31.84 грн |
| 6000+ | 31.76 грн |
| 9000+ | 26.98 грн |
| IRLR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 34.70 грн |
| 6000+ | 33.94 грн |
| IRLR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 759+ | 46.28 грн |
| 1000+ | 42.67 грн |
| IRLR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 47.70 грн |
| IRLR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.13 грн |
| 10+ | 49.96 грн |
| 100+ | 32.80 грн |
| 500+ | 23.86 грн |
| 1000+ | 21.63 грн |
| IRLR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 165+ | 85.32 грн |
| 260+ | 54.04 грн |
| 263+ | 53.48 грн |
| 500+ | 40.91 грн |
| 1000+ | 37.21 грн |
| IRLR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 159+ | 88.89 грн |
| 239+ | 58.92 грн |
| 500+ | 46.08 грн |
| IRLR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 107.95 грн |
| 15+ | 52.76 грн |
| 100+ | 42.32 грн |
| 500+ | 37.54 грн |
| 1000+ | 33.85 грн |
| IRLR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 131+ | 107.95 грн |
| 267+ | 52.76 грн |
| 333+ | 42.32 грн |
| 500+ | 37.54 грн |
| 1000+ | 33.85 грн |
| IRLR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 141.15 грн |
| 10+ | 88.89 грн |
| 100+ | 58.92 грн |
| 500+ | 44.43 грн |
| IRLR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





