Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3410TRLPBF
IRLR3410TRLPBF

IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies

irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLR3410TRLPBF за ціною від 22.22 грн до 122.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.51 грн
6000+37.00 грн
9000+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
759+42.61 грн
1000+39.29 грн
10000+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 759
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.90 грн
500+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
261+49.71 грн
263+49.21 грн
330+39.26 грн
333+37.47 грн
500+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 261
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.65 грн
10+58.51 грн
100+34.73 грн
500+26.63 грн
1000+26.42 грн
3000+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 8446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.63 грн
10+61.17 грн
100+40.56 грн
500+29.77 грн
1000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.51 грн
50+67.18 грн
100+45.90 грн
500+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.84 грн
14+53.26 грн
25+52.72 грн
100+40.56 грн
250+37.17 грн
500+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF (транзистор) IRLR3410TRLPBF (транзистор)
Код товару: 89552
Додати до обраних Обраний товар
Виробник : IR irlr3410pbf-223115.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF Виробник : International Rectifier irlr3410.pdf TO252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.105Ω
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.