Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR3410TRLPBF (транзистор)
IRLR3410TRLPBF (транзистор)

IRLR3410TRLPBF (транзистор)

irlr3410pbf-223115.pdf
Код товару: 89552
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 800/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLR3410TRLPBF (транзистор) за ціною від 19.70 грн до 113.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.08 грн
9000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1097+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 1097 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.36 грн
9000+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.43 грн
9000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 33859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.77 грн
10+55.16 грн
50+40.88 грн
100+34.04 грн
500+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.80 грн
11+69.57 грн
50+53.63 грн
100+46.47 грн
500+34.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+101.80 грн
203+69.57 грн
264+53.63 грн
293+46.47 грн
500+34.19 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.91 грн
11+73.10 грн
25+54.69 грн
100+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
на замовлення 8474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF INFINEON irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF INFINEON irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.08 грн
9000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1097+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 1097 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.36 грн
9000+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.43 грн
9000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 33859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.77 грн
10+55.16 грн
50+40.88 грн
100+34.04 грн
500+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+101.80 грн
11+69.57 грн
50+53.63 грн
100+46.47 грн
500+34.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
139+101.80 грн
203+69.57 грн
264+53.63 грн
293+46.47 грн
500+34.19 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+113.91 грн
11+73.10 грн
25+54.69 грн
100+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
на замовлення 8474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
IRLR3410TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
IRLR3410TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.