Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3410TRPBF
IRLR3410TRPBF

IRLR3410TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr3410-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+24.16 грн
6000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3410TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 79W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm.

Інші пропозиції IRLR3410TRPBF за ціною від 19.60 грн до 108.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.12 грн
6000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.18 грн
6000+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.20 грн
6000+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.20 грн
6000+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 338000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
901+39.54 грн
1000+36.46 грн
10000+32.51 грн
100000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 901 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
901+39.54 грн
1000+36.46 грн
10000+32.51 грн
100000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 901 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.55 грн
10+42.83 грн
100+32.02 грн
500+28.64 грн
1000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-cn.pdf description Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 29968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.24 грн
10+54.67 грн
50+40.55 грн
100+33.79 грн
500+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+90.53 грн
165+86.49 грн
250+83.02 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
на замовлення 36962 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+97.27 грн
10+42.22 грн
100+32.98 грн
500+26.33 грн
1000+26.11 грн
2000+22.01 грн
4000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.58 грн
11+74.16 грн
50+57.14 грн
100+49.54 грн
500+35.42 грн
2000+29.49 грн
6000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+108.58 грн
192+74.16 грн
250+57.14 грн
278+49.54 грн
500+35.42 грн
2000+29.49 грн
6000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 6803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 6803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
476+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+30.12 грн
6000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+30.18 грн
6000+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+33.20 грн
6000+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+33.20 грн
6000+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 338000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
901+39.54 грн
1000+36.46 грн
10000+32.51 грн
100000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 901 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
901+39.54 грн
1000+36.46 грн
10000+32.51 грн
100000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 901 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description irlr3410pbf.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.55 грн
10+42.83 грн
100+32.02 грн
500+28.64 грн
1000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description infineon-irlr3410-datasheet-cn.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 29968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.24 грн
10+54.67 грн
50+40.55 грн
100+33.79 грн
500+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+90.53 грн
165+86.49 грн
250+83.02 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
на замовлення 36962 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.27 грн
10+42.22 грн
100+32.98 грн
500+26.33 грн
1000+26.11 грн
2000+22.01 грн
4000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+108.58 грн
11+74.16 грн
50+57.14 грн
100+49.54 грн
500+35.42 грн
2000+29.49 грн
6000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
132+108.58 грн
192+74.16 грн
250+57.14 грн
278+49.54 грн
500+35.42 грн
2000+29.49 грн
6000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 6803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 6803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.