Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3410TRPBF
IRLR3410TRPBF

IRLR3410TRPBF Infineon Technologies

irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.81 грн
4000+23.85 грн
6000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3410TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLR3410TRPBF за ціною від 19.62 грн до 99.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
475+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 475
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.53 грн
4000+36.98 грн
10000+36.64 грн
24000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
309+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : INFINEON irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.53 грн
500+31.13 грн
1000+26.52 грн
5000+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 4727 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.20 грн
12+36.91 грн
100+29.60 грн
250+28.35 грн
500+26.85 грн
1000+23.94 грн
2000+21.62 грн
4000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
158+82.26 грн
165+78.58 грн
250+75.43 грн
500+70.11 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
на замовлення 22859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.83 грн
10+54.97 грн
100+34.47 грн
500+25.35 грн
1000+23.41 грн
2000+21.83 грн
4000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 7070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.68 грн
10+59.71 грн
100+39.59 грн
500+29.04 грн
1000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : INFINEON irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.12 грн
13+63.18 грн
100+45.53 грн
500+31.13 грн
1000+26.52 грн
5000+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 MOSFET N-CH 100V 15A DPAK (аналог 19N10L) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF Виробник : International Rectifier irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 MOSFET N-CH 100V 17A TO-252AA (DPAK) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irlr3410pbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 79, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.