Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3410TRPBF

IRLR3410TRPBF Infineon Technologies

Name: IRLR3410TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 31358744-5
Price: 49580.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 92000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	24.79 грн
4000+	23.93 грн
24000+	23.92 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLR3410TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR3410TRPBF за ціною від 17.32 грн до 92.40 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRLR3410TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 92000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	26.82 грн
4000+	25.90 грн
24000+	25.89 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3410TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
475+	27.41 грн

Мінімальне замовлення: 475

В кошику од. на суму грн.

IRLR3410TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
26+	29.37 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IRLR3410TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 13385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
421+	30.93 грн

Мінімальне замовлення: 421

В кошику од. на суму грн.

IRLR3410TRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	36.69 грн
500+	32.47 грн
1000+	27.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRLR3410TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
19+	40.91 грн
20+	38.45 грн
26+	29.67 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

IRLR3410TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®

на замовлення 4754 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	40.95 грн
50+	33.97 грн
100+	31.77 грн
250+	28.14 грн
500+	24.84 грн
1000+	21.46 грн
2000+	18.93 грн
4000+	17.32 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

IRLR3410TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
16+	54.55 грн
18+	47.83 грн
100+	36.69 грн
500+	32.47 грн
1000+	27.73 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IRLR3410TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
146+	89.15 грн
153+	85.16 грн
250+	81.75 грн
500+	75.98 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

IRLR3410TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf

MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC

на замовлення 17756 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	89.27 грн
10+	55.87 грн
100+	35.03 грн
500+	25.76 грн
1000+	23.80 грн
2000+	22.18 грн
4000+	21.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRLR3410TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695

Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

на замовлення 1596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	92.40 грн
10+	56.35 грн
100+	37.37 грн
500+	27.41 грн
1000+	24.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRLR3410TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRLR3410TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLR3410TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLR3410TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.