Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3410TRPBF
IRLR3410TRPBF

IRLR3410TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3410TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR3410TRPBF за ціною від 20.57 грн до 100.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+23.66 грн
4000+22.85 грн
24000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+25.61 грн
4000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
475+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 475
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
421+29.53 грн
Мінімальне замовлення: 421
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.49 грн
14+29.85 грн
25+27.83 грн
50+26.30 грн
100+24.77 грн
500+21.70 грн
1000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.92 грн
500+34.45 грн
1000+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+39.05 грн
20+36.71 грн
26+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.79 грн
10+37.20 грн
25+33.40 грн
50+31.56 грн
100+29.72 грн
500+26.04 грн
1000+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+57.86 грн
18+50.74 грн
100+38.92 грн
500+34.45 грн
1000+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
146+85.12 грн
153+81.31 грн
250+78.05 грн
500+72.54 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.54 грн
10+61.15 грн
100+40.56 грн
500+29.76 грн
1000+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.