IRLR3410TRRPBF Infineon Technologies
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 27.91 грн |
| 25+ | 27.47 грн |
| 50+ | 26.07 грн |
| 100+ | 23.75 грн |
| 250+ | 22.43 грн |
| 500+ | 22.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR3410TRRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLR3410TRRPBF за ціною від 23.75 грн до 49.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLR3410TRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR3410TRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLR3410TRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRLR3410TRRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRLR3410TRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRLR3410TRRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRLR3410TRRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |