Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3410TRRPBF
IRLR3410TRRPBF

IRLR3410TRRPBF Infineon Technologies

infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
406+30.34 грн
413+29.87 грн
419+29.40 грн
426+27.89 грн
434+25.40 грн
500+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 406
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3410TRRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRLR3410TRRPBF за ціною від 25.69 грн до 49.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+32.51 грн
25+32.00 грн
50+30.38 грн
100+27.67 грн
250+26.13 грн
500+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
618+49.86 грн
1000+45.99 грн
10000+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 618
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN-3363598.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227F54094AD8F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3410pbf.pdf?ci_sign=799d9cc7f112882e2790faffd45c9b81f115902a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.