Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3636TRLPBF
IRLR3636TRLPBF

IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies

infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
219+64.85 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 143W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLR3636TRLPBF за ціною від 46.10 грн до 205.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF INFINEON 332456.pdf Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.86 грн
500+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.68 грн
25+75.26 грн
100+72.17 грн
250+66.46 грн
500+63.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+75.68 грн
188+75.26 грн
189+74.85 грн
250+71.77 грн
500+66.09 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF INFINEON 332456.pdf Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.05 грн
12+73.10 грн
100+72.86 грн
500+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.38 грн
10+98.50 грн
100+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3636_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.55 грн
10+115.10 грн
100+67.87 грн
500+57.94 грн
1000+51.31 грн
3000+48.49 грн
6000+46.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+205.38 грн
99+144.24 грн
136+104.64 грн
500+81.08 грн
1000+69.52 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+65.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+65.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF 332456.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+72.86 грн
500+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+75.68 грн
25+75.26 грн
100+72.17 грн
250+66.46 грн
500+63.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
187+75.68 грн
188+75.26 грн
189+74.85 грн
250+71.77 грн
500+66.09 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF 332456.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+83.05 грн
12+73.10 грн
100+72.86 грн
500+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRLR3636TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+159.38 грн
10+98.50 грн
100+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF Infineon_IRLR3636_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+182.55 грн
10+115.10 грн
100+67.87 грн
500+57.94 грн
1000+51.31 грн
3000+48.49 грн
6000+46.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
69+205.38 грн
99+144.24 грн
136+104.64 грн
500+81.08 грн
1000+69.52 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.