Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3636TRLPBF
IRLR3636TRLPBF

IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies

infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 143W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 143W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm.

Інші пропозиції IRLR3636TRLPBF за ціною від 40.37 грн до 185.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.02 грн
25+61.19 грн
100+58.21 грн
250+53.16 грн
500+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+62.02 грн
233+61.19 грн
236+60.37 грн
250+57.42 грн
500+52.43 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.72 грн
10+93.74 грн
50+70.83 грн
100+59.55 грн
500+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies infineon_irlr3636_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+165.52 грн
10+74.51 грн
100+56.97 грн
500+47.17 грн
1000+45.63 грн
3000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+185.96 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF INFINEON 332456.pdf Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF INFINEON 332456.pdf Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+60.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+62.02 грн
25+61.19 грн
100+58.21 грн
250+53.16 грн
500+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
230+62.02 грн
233+61.19 грн
236+60.37 грн
250+57.42 грн
500+52.43 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF infineon-irlr3636-datasheet-en.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.72 грн
10+93.74 грн
50+70.83 грн
100+59.55 грн
500+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF infineon_irlr3636_datasheet_en.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.52 грн
10+74.51 грн
100+56.97 грн
500+47.17 грн
1000+45.63 грн
3000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+185.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+185.96 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF 332456.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF 332456.pdf
IRLR3636TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.