Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3636TRLPBF

IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies

Name: IRLR3636TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 32852819-5
Price: 12771.12 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
419+	30.48 грн
423+	30.17 грн
428+	29.87 грн
432+	28.51 грн
500+	26.25 грн

Мінімальне замовлення: 419

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 143W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR3636TRLPBF за ціною від 27.00 грн до 190.76 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRLR3636TRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	36.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
16+	47.24 грн
22+	33.18 грн
23+	32.66 грн
25+	31.17 грн
100+	28.57 грн
250+	27.15 грн
500+	27.00 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	64.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	69.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRLPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	78.25 грн
500+	69.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl

на замовлення 1149 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	82.94 грн
10+	72.07 грн
100+	62.43 грн
500+	59.44 грн
1000+	55.27 грн
3000+	52.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
145+	88.47 грн

Мінімальне замовлення: 145

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRLPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	89.20 грн
12+	78.51 грн
100+	78.25 грн
500+	69.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	190.76 грн
10+	118.25 грн
100+	81.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLR3636TRLPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.