IRLR3705ZPBF
Код товару: 41262
Виробник: IRUds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/44
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товар відсутній
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 44 грн |
10+ | 39.5 грн |
100+ | 34.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRLR3705ZPBF IR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LR3705 Код товару: 189655 |
Виробник : JSMicro |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D-Pak Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2900/44 Монтаж: SMD |
у наявності: 22 шт
13 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
20 шт
20 шт - очікується
|
|
Інші пропозиції IRLR3705ZPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRLR3705ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
IRLR3705ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 44nC |
товар відсутній |
||
IRLR3705ZPBF | Виробник : Infineon (IRF) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 89A Power dissipation: 130W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
товар відсутній |
З цим товаром купують
680uH 10% (DR 0912 680uH Bochen) (Idc=0,5А, Rdc max=0.85 Ohm, радіальні виводи, d=9mm, h=12mm) Код товару: 123707 |
Виробник: Bochen
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 680 µH
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 680µH±10%, Idc=0.5А, Rdc мax=0.85 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Тип: DR0912
Габарити: d=9 mm; h=12 mm
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 680 µH
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 680µH±10%, Idc=0.5А, Rdc мax=0.85 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Тип: DR0912
Габарити: d=9 mm; h=12 mm
у наявності: 408 шт
231 шт - склад
27 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
55 шт - РАДІОМАГ-Харків
37 шт - РАДІОМАГ-Одеса
55 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
27 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
55 шт - РАДІОМАГ-Харків
37 шт - РАДІОМАГ-Одеса
55 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 9 грн |
10+ | 8 грн |
100+ | 7.2 грн |
3,3nF 6kV Z5V Z(-20/+80%) D<=10,8mm (KF3I332Z-L016BD11-Hitano) Код товару: 3279 |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 3,3 nF
Номін.напруга: 6k V
ТКЕ: Z5V
Точність: -20/+80% Z
Габарити: D<=10,8 mm
Part Number: KF3I332Z-L016B
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 3,3 nF
Номін.напруга: 6k V
ТКЕ: Z5V
Точність: -20/+80% Z
Габарити: D<=10,8 mm
Part Number: KF3I332Z-L016B
у наявності: 2481 шт
2197 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
47 шт - РАДІОМАГ-Львів
42 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
153 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
47 шт - РАДІОМАГ-Львів
42 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
153 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 9 грн |
10+ | 8 грн |
100+ | 7.2 грн |
1000+ | 6.5 грн |
IRFR5305PBF Код товару: 2560 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 136 шт
96 шт - склад
40 шт - РАДІОМАГ-Київ
40 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується:
600 шт
600 шт - очікується 22.09.2024
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 44 грн |
10+ | 39.6 грн |
100+ | 35.7 грн |
74HC14D Код товару: 2467 |
Виробник: NXP
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: Тріггер Шмідта інвертуючий x6
Монтаж: SMD
Аналог RUS: ТЛ2
Живлення,V: -0,5...7 V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: Тріггер Шмідта інвертуючий x6
Монтаж: SMD
Аналог RUS: ТЛ2
Живлення,V: -0,5...7 V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
у наявності: 449 шт
423 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 15 грн |
10+ | 13.5 грн |
100+ | 11.9 грн |
1000uF 63V EXR 16x31mm (low imp.) (EXR102M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2454 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 16х31mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 16х31mm
Строк життя: 5000 годин
очікується:
1500 шт
1500 шт - очікується 20.10.2024
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24 грн |
10+ | 21.6 грн |
100+ | 19.3 грн |