Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR3705ZTRPBF

IRLR3705ZTRPBF

irlr3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d2d17269d
Код товару: 190163
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLR3705ZTRPBF за ціною від 28.68 грн до 186.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d2d17269d Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+37.99 грн
4000+33.99 грн
6000+32.67 грн
10000+29.27 грн
14000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+43.96 грн
4000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+46.67 грн
4000+43.06 грн
6000+42.64 грн
10000+40.85 грн
14000+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+47.11 грн
4000+43.47 грн
6000+43.04 грн
10000+41.23 грн
14000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
461+75.39 грн
512+67.86 грн
1000+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 461
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+96.92 грн
500+72.37 грн
1000+61.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d2d17269d Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.40 грн
10+81.30 грн
100+54.72 грн
500+40.66 грн
1000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3705Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 89A 8mOhm 44nC Log Lvl
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.92 грн
10+86.78 грн
100+51.16 грн
500+40.50 грн
1000+37.11 грн
2000+34.20 грн
4000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3705ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+141.79 грн
5+103.33 грн
10+90.83 грн
50+66.66 грн
100+65.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
83+167.57 грн
125+111.33 грн
176+79.02 грн
500+61.29 грн
1000+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.57 грн
10+117.92 грн
100+79.96 грн
500+58.80 грн
1000+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF Виробник : International Rectifier irlr3705zpbf.pdf TO252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRLR2905Z Китай
Код товару: 211511
Додати до обраних Обраний товар
IRLR2905Z Китай
Виробник: Китай
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Монтаж: SMD
у наявності: 490 шт
470 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.