Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR3705ZTRPBF

IRLR3705ZTRPBF

irlr3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d2d17269d
Код товару: 190163
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLR3705ZTRPBF за ціною від 31.19 грн до 167.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Infineon Technologies irlr3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d2d17269d Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.94 грн
4000+36.67 грн
6000+35.26 грн
10000+31.61 грн
14000+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+57.86 грн
4000+53.80 грн
6000+51.74 грн
10000+47.66 грн
14000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+58.15 грн
4000+54.08 грн
6000+52.00 грн
10000+47.90 грн
14000+43.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+76.59 грн
512+68.94 грн
1000+63.58 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3705ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.40 грн
5+98.45 грн
10+86.04 грн
50+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Infineon Technologies irlr3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d2d17269d Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 20358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.49 грн
10+87.04 грн
100+58.75 грн
500+43.75 грн
1000+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.25 грн
10+113.68 грн
100+78.60 грн
500+61.47 грн
1000+52.96 грн
2000+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.25 грн
125+113.68 грн
180+78.60 грн
500+61.47 грн
1000+52.96 грн
2000+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3705Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 89A 8mOhm 44nC Log Lvl
на замовлення 9367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF irlr3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d2d17269d
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+40.94 грн
4000+36.67 грн
6000+35.26 грн
10000+31.61 грн
14000+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+57.86 грн
4000+53.80 грн
6000+51.74 грн
10000+47.66 грн
14000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+58.15 грн
4000+54.08 грн
6000+52.00 грн
10000+47.90 грн
14000+43.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
461+76.59 грн
512+68.94 грн
1000+63.58 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF.pdf
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+127.40 грн
5+98.45 грн
10+86.04 грн
50+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF irlr3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d2d17269d
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 20358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.49 грн
10+87.04 грн
100+58.75 грн
500+43.75 грн
1000+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+167.25 грн
10+113.68 грн
100+78.60 грн
500+61.47 грн
1000+52.96 грн
2000+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
85+167.25 грн
125+113.68 грн
180+78.60 грн
500+61.47 грн
1000+52.96 грн
2000+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF Infineon_IRLR3705Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 89A 8mOhm 44nC Log Lvl
на замовлення 9367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRLR2905Z Китай
Код товару: 211511
Додати до обраних Обраний товар
IRLR2905Z Китай
Виробник: Китай
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1570/23
Монтаж: SMD
у наявності: 490 шт
  • 470 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.