Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3705ZTRPBF
IRLR3705ZTRPBF

IRLR3705ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3705ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.008 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR3705ZTRPBF за ціною від 37.38 грн до 163.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d2d17269d Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+45.49 грн
4000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+50.12 грн
4000+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+52.69 грн
4000+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+52.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.008 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.00 грн
500+56.52 грн
1000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
294+83.40 грн
500+75.06 грн
1000+69.22 грн
Мінімальне замовлення: 294
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF120FD286C55EA&compId=IRLR3705ZTRPBF.pdf?ci_sign=35ad5f87f1b8ef08e2a63ecd16eb41e8ada71222 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+136.29 грн
10+88.82 грн
14+68.39 грн
38+64.46 грн
100+62.88 грн
250+62.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF
Код товару: 190163
Додати до обраних Обраний товар

irlr3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d2d17269d Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d2d17269d Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 4513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.30 грн
10+96.53 грн
100+65.77 грн
500+49.86 грн
1000+47.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3705Z_DataSheet_v01_01_EN-3363495.pdf MOSFETs MOSFT 55V 89A 8mOhm 44nC Log Lvl
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.07 грн
10+99.80 грн
100+61.80 грн
500+49.88 грн
1000+47.01 грн
2000+41.05 грн
4000+40.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.008 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.99 грн
10+110.89 грн
100+75.00 грн
500+56.52 грн
1000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+161.44 грн
110+111.70 грн
119+103.55 грн
200+71.78 грн
500+65.08 грн
1000+50.46 грн
2000+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF120FD286C55EA&compId=IRLR3705ZTRPBF.pdf?ci_sign=35ad5f87f1b8ef08e2a63ecd16eb41e8ada71222 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.55 грн
10+110.69 грн
14+82.06 грн
38+77.35 грн
100+75.46 грн
250+74.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.