Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3705ZTRPBF
IRLR3705ZTRPBF

IRLR3705ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3705ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR3705ZTRPBF за ціною від 40.15 грн до 174.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d2d17269d Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+44.44 грн
4000+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+50.97 грн
4000+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+54.35 грн
4000+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
367+83.61 грн
500+75.26 грн
1000+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 367
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF120FD286C55EA&compId=IRLR3705ZTRPBF.pdf?ci_sign=35ad5f87f1b8ef08e2a63ecd16eb41e8ada71222 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+137.46 грн
10+89.04 грн
14+68.55 грн
38+64.61 грн
100+62.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF
Код товару: 190163
Додати до обраних Обраний товар

irlr3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d2d17269d Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d2d17269d Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 8247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.01 грн
10+91.01 грн
100+65.06 грн
500+48.71 грн
1000+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3705Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 89A 8mOhm 44nC Log Lvl
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.38 грн
10+99.17 грн
100+61.95 грн
500+49.92 грн
1000+47.12 грн
2000+41.15 грн
4000+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF120FD286C55EA&compId=IRLR3705ZTRPBF.pdf?ci_sign=35ad5f87f1b8ef08e2a63ecd16eb41e8ada71222 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.96 грн
10+110.95 грн
14+82.26 грн
38+77.53 грн
100+74.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.95 грн
10+107.77 грн
100+77.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
71+174.09 грн
115+107.07 грн
124+98.90 грн
200+72.82 грн
500+65.97 грн
1000+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3705zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.