Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3717TRRPBF
IRLR3717TRRPBF

IRLR3717TRRPBF Infineon Technologies

irlr3717pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d695b26b2 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
559+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 559
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3717TRRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 120A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 10 V.

Інші пропозиції IRLR3717TRRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR3717TRRPBF Виробник : Infineon irlr3717pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d695b26b2 IRLR3717PbF%2CIRLU3717PbF.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRLR3717TRRPBF IRLR3717TRRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3717pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRLR3717TRRPBF IRLR3717TRRPBF Виробник : Infineon Technologies IRLR3717PbF%2CIRLU3717PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 10 V
товар відсутній
IRLR3717TRRPBF IRLR3717TRRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3717_DataSheet_v01_01_EN-3363635.pdf MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC
товар відсутній