Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3802PBF
IRLR3802PBF

IRLR3802PBF Infineon Technologies

irlr3802pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3802PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3802PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 84 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 88W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm.

Інші пропозиції IRLR3802PBF за ціною від 39.73 грн до 59.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR3802PBF IRLR3802PBF Infineon Technologies irlr3802pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF IRLR3802PBF International Rectifier IRSDS11016-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF IRLR3802PBF Infineon Technologies IRSDS11016-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRLR3802 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF IRLR3802PBF Infineon Technologies irlr3802pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+59.29 грн
1000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF IRLR3802PBF Infineon Technologies irlr3802pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF IRLR3802PBF INFINEON 140860.pdf Description: INFINEON - IRLR3802PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 84 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF IRLR3802PBF Infineon Technologies irlr3802pbf.pdf MOSFETs 12V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 27nC
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF International Rectifier HiRel Products IRSDS11016-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF irlr3802pbf.pdf
IRLR3802PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
356+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF IRSDS11016-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRLR3802PBF
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
429+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF IRSDS11016-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRLR3802PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRLR3802 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
429+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF irlr3802pbf.pdf
IRLR3802PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
597+59.29 грн
1000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF irlr3802pbf.pdf
IRLR3802PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF 140860.pdf
IRLR3802PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3802PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 84 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF irlr3802pbf.pdf
IRLR3802PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 12V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 27nC
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3802PBF IRSDS11016-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
597+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.