IRLR3802PBF Infineon Technologies
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 352+ | 35.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR3802PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR3802PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 84 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції IRLR3802PBF за ціною від 37.59 грн до 115.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLR3802PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRLR3802PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IRLR3802PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3802PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 84 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRLR3802PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
 |
IRLR3802PBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 12V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 27nC |
на замовлення 2709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||
| IRLR3802PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 12V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
 |
IRLR3802PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V |
товару немає в наявності |