Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3915TRPBF
IRLR3915TRPBF

IRLR3915TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr3915-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3915TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR3915TRPBF за ціною від 29.98 грн до 124.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3915pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d83e126ba Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.83 грн
4000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3915-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.62 грн
4000+38.85 грн
6000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3915-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3915-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.35 грн
500+48.91 грн
1000+40.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3915-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
165+74.10 грн
197+61.98 грн
211+57.91 грн
500+47.77 грн
1000+39.36 грн
2000+30.82 грн
4000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3915pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d83e126ba Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
на замовлення 4104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.45 грн
10+71.62 грн
100+54.15 грн
500+40.62 грн
1000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.19 грн
11+77.38 грн
100+60.35 грн
500+48.91 грн
1000+40.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3915_DataSheet_v01_01_EN-3363599.pdf MOSFETs MOSFT 55V 61A 14mOhm 61nC Log Lvl
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.15 грн
10+87.29 грн
100+56.41 грн
500+45.99 грн
1000+40.78 грн
2000+37.95 грн
4000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3915-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3915-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF127303F0515EA&compId=IRLR3915TRPBF.pdf?ci_sign=2a546e3321d7785d96f1b8df8cb817a035b9b316 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 61A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF127303F0515EA&compId=IRLR3915TRPBF.pdf?ci_sign=2a546e3321d7785d96f1b8df8cb817a035b9b316 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 61A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.