IRLR3915TRPBF Infineon Technologies


infineon-irlr3915-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3915TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 120W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.

Інші пропозиції IRLR3915TRPBF за ціною від 26.50 грн до 141.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3915datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.45 грн
4000+42.06 грн
6000+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3915datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.55 грн
4000+42.14 грн
6000+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3915datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+87.08 грн
221+66.40 грн
248+59.16 грн
250+56.48 грн
500+43.38 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr3915-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.10 грн
10+70.05 грн
50+52.27 грн
100+43.67 грн
500+34.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3915datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.31 грн
10+87.08 грн
25+66.40 грн
100+57.04 грн
250+52.30 грн
500+41.64 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3915datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.61 грн
12+69.95 грн
100+62.99 грн
500+48.57 грн
1000+44.53 грн
2000+36.54 грн
4000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3915datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+132.61 грн
209+69.95 грн
233+62.99 грн
500+48.57 грн
1000+44.53 грн
2000+36.54 грн
4000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Infineon Technologies infineon_irlr3915_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 55V 61A 14mOhm 61nC Log Lvl
на замовлення 3932 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+141.18 грн
10+85.21 грн
100+49.07 грн
500+38.53 грн
1000+33.04 грн
2000+29.84 грн
4000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF infineonirlr3915datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+42.45 грн
4000+42.06 грн
6000+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF infineonirlr3915datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+42.55 грн
4000+42.14 грн
6000+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF infineonirlr3915datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
168+87.08 грн
221+66.40 грн
248+59.16 грн
250+56.48 грн
500+43.38 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF infineon-irlr3915-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.10 грн
10+70.05 грн
50+52.27 грн
100+43.67 грн
500+34.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF infineonirlr3915datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+127.31 грн
10+87.08 грн
25+66.40 грн
100+57.04 грн
250+52.30 грн
500+41.64 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF infineonirlr3915datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+132.61 грн
12+69.95 грн
100+62.99 грн
500+48.57 грн
1000+44.53 грн
2000+36.54 грн
4000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF infineonirlr3915datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
111+132.61 грн
209+69.95 грн
233+62.99 грн
500+48.57 грн
1000+44.53 грн
2000+36.54 грн
4000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF infineon_irlr3915_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 61A 14mOhm 61nC Log Lvl
на замовлення 3932 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.18 грн
10+85.21 грн
100+49.07 грн
500+38.53 грн
1000+33.04 грн
2000+29.84 грн
4000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF INFN-S-A0012905623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF INFN-S-A0012905623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.