Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3915TRPBF
IRLR3915TRPBF

IRLR3915TRPBF Infineon Technologies

irlr3915pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d83e126ba
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3915TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 120W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.

Інші пропозиції IRLR3915TRPBF за ціною від 30.40 грн до 128.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3915datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.99 грн
4000+40.60 грн
6000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3915datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.08 грн
4000+40.69 грн
6000+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3915datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.08 грн
221+64.11 грн
248+57.12 грн
250+54.53 грн
500+41.88 грн
1000+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Infineon Technologies irlr3915pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d83e126ba Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
на замовлення 3318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.02 грн
10+64.38 грн
50+48.06 грн
100+40.15 грн
500+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3915datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.92 грн
10+84.08 грн
25+64.11 грн
100+55.08 грн
250+50.49 грн
500+40.21 грн
1000+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3915datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.03 грн
12+67.54 грн
100+60.82 грн
500+46.89 грн
1000+42.99 грн
2000+35.28 грн
4000+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3915datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.03 грн
209+67.54 грн
233+60.82 грн
500+46.89 грн
1000+42.99 грн
2000+35.28 грн
4000+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Infineon Technologies irlr3915pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d83e126ba MOSFETs MOSFT 55V 61A 14mOhm 61nC Log Lvl
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 3248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 3248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF infineonirlr3915datasheeten.pdf
IRLR3915TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+40.99 грн
4000+40.60 грн
6000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF infineonirlr3915datasheeten.pdf
IRLR3915TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+41.08 грн
4000+40.69 грн
6000+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF infineonirlr3915datasheeten.pdf
IRLR3915TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
168+84.08 грн
221+64.11 грн
248+57.12 грн
250+54.53 грн
500+41.88 грн
1000+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF irlr3915pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d83e126ba
IRLR3915TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
на замовлення 3318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.02 грн
10+64.38 грн
50+48.06 грн
100+40.15 грн
500+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF infineonirlr3915datasheeten.pdf
IRLR3915TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+122.92 грн
10+84.08 грн
25+64.11 грн
100+55.08 грн
250+50.49 грн
500+40.21 грн
1000+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF infineonirlr3915datasheeten.pdf
IRLR3915TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+128.03 грн
12+67.54 грн
100+60.82 грн
500+46.89 грн
1000+42.99 грн
2000+35.28 грн
4000+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF infineonirlr3915datasheeten.pdf
IRLR3915TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
111+128.03 грн
209+67.54 грн
233+60.82 грн
500+46.89 грн
1000+42.99 грн
2000+35.28 грн
4000+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF irlr3915pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d83e126ba
IRLR3915TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 61A 14mOhm 61nC Log Lvl
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF INFN-S-A0012905623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3915TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 3248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF INFN-S-A0012905623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3915TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 3248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.