Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR4132TRPBF
IRLR4132TRPBF

IRLR4132TRPBF Infineon Technologies

fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR4132TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR4132TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm.

Інші пропозиції IRLR4132TRPBF за ціною від 27.62 грн до 55.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR4132TRPBF IRLR4132TRPBF INFINEON 2915227.pdf Description: INFINEON - IRLR4132TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF IRLR4132TRPBF INFINEON 2915227.pdf Description: INFINEON - IRLR4132TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors MOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors MOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors MOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
635+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 635 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF Infineon fundamentals-of-power-semiconductors
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF 2915227.pdf
IRLR4132TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR4132TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF 2915227.pdf
IRLR4132TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR4132TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
635+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 635 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.