Продукція > INFINEON > IRLR4132TRPBF
IRLR4132TRPBF

IRLR4132TRPBF INFINEON

2915227.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR4132TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR4132TRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRLR4132TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR4132TRPBF за ціною від 22.30 грн до 125.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR4132TRPBF IRLR4132TRPBF Виробник : INFINEON 2915227.pdf Description: INFINEON - IRLR4132TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.79 грн
50+73.77 грн
100+51.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF IRLR4132TRPBF Виробник : Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.01 грн
10+77.99 грн
100+45.06 грн
500+35.59 грн
1000+32.81 грн
2000+29.87 грн
4000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF Виробник : Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors MOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF Виробник : Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors MOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF Виробник : Infineon Technologies nods.pdf MOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF Виробник : Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors MOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
635+47.95 грн
Мінімальне замовлення: 635
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF Виробник : Infineon fundamentals-of-power-semiconductors
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF Виробник : Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors MOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF Виробник : Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors MOSFET, 30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, Logic Level, D-Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF IRLR4132TRPBF Виробник : Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4132TRPBF IRLR4132TRPBF Виробник : Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.