IRLR6225PBF
Код товару: 92029
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 20 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3770/48
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLR6225PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLR6225PBF |
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
IRLR6225PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRLR6225PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 48nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLR6225PBF |
|
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLR6225PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLR6225PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 48nC
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 48nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.