IRLR6225PBF
Код товару: 92029
Виробник: IRUds,V: 20 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3770/48
Монтаж: SMD
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLR6225PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR6225PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|
 |
IRLR6225PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 48nC |
товар відсутній |