Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR6225TRPBF
IRLR6225TRPBF

IRLR6225TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr6225-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR6225TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR6225TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR6225TRPBF за ціною від 23.56 грн до 102.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr6225pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr6225pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr6225pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
382+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 382
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222805218164EF1A303005056AB0C4F&compId=irlr6225pbf.pdf?ci_sign=c90e685b7210caa8a81bba363c2cbb3e203cae67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.58 грн
10+43.88 грн
50+37.33 грн
100+34.61 грн
250+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222805218164EF1A303005056AB0C4F&compId=irlr6225pbf.pdf?ci_sign=c90e685b7210caa8a81bba363c2cbb3e203cae67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.70 грн
10+54.68 грн
50+44.79 грн
100+41.53 грн
250+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRLR6225-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 20V 100A 4.0mOhm 2.5V dr cpbl
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.53 грн
10+50.74 грн
100+40.28 грн
500+31.92 грн
1000+29.08 грн
2000+25.86 грн
4000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr6225pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d99bc26c1 Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.92 грн
10+62.18 грн
100+41.35 грн
500+30.41 грн
1000+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr6225pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr6225pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr6225pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d99bc26c1 Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR6225TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR6225TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.