Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR6225TRPBF
IRLR6225TRPBF

IRLR6225TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr6225-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR6225TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR6225TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR6225TRPBF за ціною від 23.38 грн до 100.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr6225-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr6225-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr6225pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
365+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr6225-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
355+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 355
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222805218164EF1A303005056AB0C4F&compId=irlr6225pbf.pdf?ci_sign=c90e685b7210caa8a81bba363c2cbb3e203cae67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.19 грн
10+47.05 грн
28+33.80 грн
76+31.97 грн
500+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRLR6225-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 20V 100A 4.0mOhm 2.5V dr cpbl
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.88 грн
10+50.36 грн
100+39.99 грн
500+31.68 грн
1000+28.87 грн
2000+25.67 грн
4000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222805218164EF1A303005056AB0C4F&compId=irlr6225pbf.pdf?ci_sign=c90e685b7210caa8a81bba363c2cbb3e203cae67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.23 грн
10+58.63 грн
28+40.56 грн
76+38.37 грн
500+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr6225pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d99bc26c1 Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.52 грн
10+60.93 грн
100+40.50 грн
500+29.78 грн
1000+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr6225pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr6225pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr6225pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d99bc26c1 Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR6225TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr6225pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR6225TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.