Технічний опис IRLR6225TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR6225TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRLR6225TRPBF за ціною від 31.88 грн до 103.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR6225TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLR6225TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLR6225TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 100A Power dissipation: 63W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 545 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLR6225TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLR6225TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLR6225TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLR6225TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRLR6225TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRLR6225TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 31.88 грн |
| IRLR6225TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 378+ | 37.26 грн |
| IRLR6225TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 72.73 грн |
| 10+ | 45.21 грн |
| 50+ | 38.46 грн |
| 100+ | 35.66 грн |
| 250+ | 31.95 грн |
| IRLR6225TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 102.37 грн |
| 10+ | 62.63 грн |
| IRLR6225TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 103.60 грн |
| 13+ | 61.27 грн |
| 100+ | 55.62 грн |
| 500+ | 43.47 грн |
| 1000+ | 36.95 грн |
| IRLR6225TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 136+ | 103.60 грн |
| 230+ | 61.27 грн |
| 253+ | 55.62 грн |
| 500+ | 43.47 грн |
| 1000+ | 36.95 грн |
| IRLR6225TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLR6225TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






