IRLR7807ZPBF
Код товару: 113448
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13,8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 780/7
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLR7807ZPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLR7807ZPBF | International Rectifier |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
IRLR7807ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRLR7807ZPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRLR7807ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR7807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0138 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 40 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 40 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0138 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLR7807ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRLR7807ZPBF |
|
Виробник: International Rectifier
Транзистори
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLR7807ZPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLR7807ZPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7nC
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLR7807ZPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR7807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0138 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0138
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR7807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0138 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0138
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLR7807ZPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.