IRLR7807ZPBF

IRLR7807ZPBF


irlr7807zpbf-datasheet.pdf
Код товару: 113448
Виробник: IR
Uds,V: 30 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 13,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 780/7
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLR7807ZPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR7807ZPBF IRLR7807ZPBF Виробник : Infineon Technologies IRLR7807ZPbF%2CIRLU7807ZPbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
товар відсутній
IRLR7807ZPBF IRLR7807ZPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR7807Z_DataSheet_v01_01_EN-1732827.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7nC
товар відсутній