IRLR7807ZTRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR7807ZTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції IRLR7807ZTRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR7807ZTRPBF | Infineon / IR |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRLR7807ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 43 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 40 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 Verlustleistung: 40 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
IRLR7807ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Verlustleistung: 40 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRLR7807ZTRPBF |
|
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7nC
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLR7807ZTRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 43
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 43
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLR7807ZTRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 40
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 40
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.