IRLR7843TRLPBF

IRLR7843TRLPBF Infineon Technologies


infineon-irlr7843-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
343+35.54 грн
Мінімальне замовлення: 343
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR7843TRLPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRLR7843TRLPBF за ціною від 37.93 грн до 80.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR7843TRLPBF IRLR7843TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr7843-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRLPBF IRLR7843TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR7843_DataSheet_v01_01_EN-3363700.pdf MOSFETs MOSFT 30V 161A 3.3mOhm 34nC Log Lvl
на замовлення 3248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.40 грн
3000+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRLPBF IRLR7843TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr7843-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 34724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
380+80.08 грн
500+72.08 грн
1000+66.47 грн
10000+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 380
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRLPBF IRLR7843TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr7843-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
380+80.08 грн
500+72.08 грн
1000+66.47 грн
Мінімальне замовлення: 380
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRLPBF IRLR7843TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr7843-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRLPBF IRLR7843TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr7843-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRLPBF IRLR7843TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlr7843pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566de53526d8 Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRLPBF IRLR7843TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlr7843pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566de53526d8 Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.