IRLR7843TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 32.80 грн |
| 4000+ | 29.29 грн |
| 6000+ | 28.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR7843TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRLR7843TRPBF за ціною від 28.33 грн до 120.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 161A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 161A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF Код товару: 113284
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 161A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC |
на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 161A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V |
на замовлення 12753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
DPAK |
на замовлення 38 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |



