Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR7843TRPBF
IRLR7843TRPBF

IRLR7843TRPBF Infineon Technologies

infineonirlr7843datasheetv0101en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+30.44 грн
4000+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR7843TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 161A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR7843TRPBF за ціною від 28.07 грн до 62.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr7843-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+30.86 грн
4000+28.61 грн
6000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr7843datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.45 грн
4000+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr7843datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
332+37.11 грн
335+36.74 грн
370+33.26 грн
372+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 332
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr7843datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+39.76 грн
25+39.36 грн
100+34.37 грн
250+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF12A53ADB7F5EA&compId=IRLR7843TRPBF.pdf?ci_sign=811800f91ae3ae22ef949fd280234228e68a7137 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+44.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905124-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.34 грн
500+37.99 грн
1000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF
Код товару: 113284
Додати до обраних Обраний товар

infineon-irlr7843-datasheet-en.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr7843datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
593+51.86 грн
1000+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr7843datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
593+51.86 грн
1000+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRLR7843-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.55 грн
10+50.14 грн
100+34.50 грн
500+32.07 грн
1000+31.09 грн
2000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr7843-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
на замовлення 13473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.77 грн
10+46.20 грн
100+36.56 грн
500+33.30 грн
1000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905124-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.97 грн
50+59.37 грн
100+45.34 грн
500+37.99 грн
1000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF12A53ADB7F5EA&compId=IRLR7843TRPBF.pdf?ci_sign=811800f91ae3ae22ef949fd280234228e68a7137 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.26 грн
6+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation infineon-irlr7843-datasheet-en.pdf DPAK
на замовлення 38 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr7843datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr7843pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.