Інші пропозиції IRLR7843TRPBF за ціною від 30.13 грн до 138.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 161A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 68 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V |
на замовлення 16706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC |
на замовлення 4667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 161A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
на замовлення 3005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 161A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
на замовлення 3005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | International Rectifier |
DPAK Транзистори |
на замовлення 28 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 39.77 грн |
| 4000+ | 35.60 грн |
| 6000+ | 34.22 грн |
| 10000+ | 30.67 грн |
| 14000+ | 30.13 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 45.93 грн |
| 4000+ | 44.54 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 45.93 грн |
| 4000+ | 44.54 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 69.81 грн |
| 10+ | 63.10 грн |
| 50+ | 48.50 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 78.58 грн |
| 17+ | 46.39 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 78.59 грн |
| 500+ | 70.73 грн |
| 1000+ | 65.23 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 78.59 грн |
| 500+ | 70.73 грн |
| 1000+ | 65.23 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 132.38 грн |
| 10+ | 96.55 грн |
| 100+ | 68.28 грн |
| 500+ | 51.86 грн |
| 1000+ | 45.41 грн |
| 2000+ | 39.10 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 107+ | 133.18 грн |
| 146+ | 97.14 грн |
| 206+ | 68.69 грн |
| 500+ | 52.17 грн |
| 1000+ | 45.69 грн |
| 2000+ | 39.34 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
на замовлення 16706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 138.71 грн |
| 10+ | 84.92 грн |
| 100+ | 57.20 грн |
| 500+ | 42.54 грн |
| 1000+ | 38.95 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
DPAK Транзистори
DPAK Транзистори
на замовлення 28 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.81 грн |







