Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR7843TRPBF

IRLR7843TRPBF Infineon Technologies

Name: IRLR7843TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 811415-3
Price: 64420.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	32.21 грн
4000+	28.76 грн
6000+	27.61 грн
10000+	25.45 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLR7843TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 161A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLR7843TRPBF за ціною від 28.64 грн до 134.32 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRLR7843TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	38.46 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR7843TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	41.54 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRLR7843TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	49.97 грн
16+	46.82 грн
25+	35.33 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IRLR7843TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
593+	54.84 грн
1000+	50.58 грн

Мінімальне замовлення: 593

В кошику од. на суму грн.

IRLR7843TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
593+	54.84 грн
1000+	50.58 грн

Мінімальне замовлення: 593

В кошику од. на суму грн.

IRLR7843TRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012905124-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	57.17 грн
500+	41.83 грн
1000+	35.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRLR7843TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

на замовлення 644 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	73.71 грн
8+	60.16 грн
10+	55.01 грн
50+	44.62 грн
100+	41.66 грн
250+	40.14 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IRLR7843TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V

на замовлення 18488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	114.51 грн
10+	69.97 грн
100+	46.82 грн
500+	34.62 грн
1000+	31.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRLR7843TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC

на замовлення 1934 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	123.67 грн
10+	64.58 грн
100+	44.58 грн
500+	35.10 грн
1000+	32.08 грн
2000+	28.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRLR7843TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	134.32 грн
50+	73.79 грн
100+	57.17 грн
500+	41.83 грн
1000+	35.24 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IRLR7843TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRLR7843TRPBF

Виробник : International Rectifier Corporation

DPAK

на замовлення 38 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRLR7843TRPBF
Код товару: 113284

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRLR7843TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.