Інші пропозиції IRLR7843TRPBF за ціною від 35.02 грн до 141.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK Mounting: SMD Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: 161A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Case: DPAK |
на замовлення 1237 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC |
на замовлення 6824 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V |
на замовлення 11020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 161A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
на замовлення 2140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 161A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
на замовлення 2140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 40.70 грн |
| 6000+ | 35.02 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 319+ | 45.86 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 81.21 грн |
| 18+ | 43.51 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 81.22 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 81.22 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 161A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 161A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 134.43 грн |
| 6+ | 73.89 грн |
| 10+ | 61.74 грн |
| 22+ | 43.65 грн |
| 60+ | 41.30 грн |
| 100+ | 40.55 грн |
| 500+ | 39.79 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC
на замовлення 6824 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 136.85 грн |
| 10+ | 66.51 грн |
| 100+ | 51.37 грн |
| 500+ | 42.17 грн |
| 1000+ | 40.91 грн |
| 2000+ | 37.19 грн |
| 4000+ | 35.78 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 138.60 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
на замовлення 11020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 141.72 грн |
| 10+ | 86.86 грн |
| 50+ | 65.46 грн |
| 100+ | 54.93 грн |
| 500+ | 43.53 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







