Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR8103VPBF
IRLR8103VPBF

IRLR8103VPBF Infineon Technologies

irlr8103vpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566df59526dd
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR8103VPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IRLR8103VPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR8103VPBF IRLR8103VPBF Infineon / IR Infineon_IRLR8103V_DataSheet_v01_01_EN-1228090.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8103VPBF IRLR8103VPBF INFINEON 140871.pdf Description: INFINEON - IRLR8103VPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 91
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 115
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 115
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0069
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8103VPBF Infineon_IRLR8103V_DataSheet_v01_01_EN-1228090.pdf
IRLR8103VPBF
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8103VPBF 140871.pdf
IRLR8103VPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8103VPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 91
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 115
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 115
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0069
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.